Область - исток
Cтраница 2
На расстоянии / I от сильнолегированной области истока преобладает нормальная составляющая напряженности электрического поля, созданная напряжением на затворе. На этом участке существует инверсный слой у поверхности полупроводника. [16]
Затем осуществляют травление окисла над областями истока и стока. Для этого травление SiO2 осуществляют травителем, который не действует на кремний. Таким травителем является плавиковая кислота HF. [17]
Для обеспечения омического контакта в окисле над областями истока и стока протравливаются окна, которые затем металлизируются. Металлизацией создается также область затвора, расположенная между областями истока и стока. [18]
 |
Логический элемент ИЛИ-НЕ, выполненный на полевых транзисторах с индуцированным каналом. [19] |
МДПТЛ обладают существенно меньшим быстродействием из-за влияния емкости областей истока, стока и затвора. [20]
 |
Схема включения упрощенной структуры МОП-транзистора. [21] |
Следует заметить, что поскольку для рассматриваемого режима работы область истока практически не влияет на ход вольт-амперных характеристик, то можно в качестве активного компонента использовать МОП-структуру только с одной диффузионной областью ге-типа ( рис. 2.12) - с областью стока. Это может способствовать упрощению технологии изготовления, уменьшению габаритов и повышению надежности МОП-интегральных схем. [22]
Третья фотолитография позволяет вскрыть контактные окна под омические контакты областей истока и стока, после чего на очищенную поверхность схемы наносится алюминий. Четвертая фотолитография создает рисунок металлизации схемы. [23]
Как видно из рис. 3.7, затвор перекрывает часть областей истока и стока по координате у. Это обусловливает существование емкостей затвор - тонкий окисел - исток или сток ( Сзи и Сзс), а также затвор - толстый окисел - исток или сток, причем последние в несколько раз меньше первых и поэтому обычно не учитываются. [24]
Проблема уменьшения встроенных емкостей, образующихся вследствие частичного перекрытия затвором областей истока и стока, решена путем использования ионного внедрения и формирования самосовмещающегося затвора. Последовательность операций изготовления в этом случае является следующей: / - формирование тонкого окисла под затвором; 2 - наращивание поликристаллического кремния - затвора; 3 - формирование окон для участков истока и стока; 4 - ионное внедрение примеси р-ти-па; 5 - выращивание толстого окисла; 6 - фотолитография окон под контактные площадки; 7 - осаждение металлической пленки; 8 - фотолитография контактов и соединительных проводников. Благодаря использованию ионного внедрения вместо диффузии примеси не попадают иод защитный слой затвора, в результате чего устраняется перекрытие затвором областей истока и стока. [25]
Ферми подложки; SH, SG - площади р-п переходов областей истока и стока соответственно. [26]
В представленной структуре ионное легирование участков канала проводилось после получения областей истока и стока, диэлектрической пленки, контактов к истоку и стоку и затвора. Прозрачными для ионного, пучка являются области по обе стороны от затвора за исключением толстого окисла. В результате облучения ионным пучком области истока и стока продлены, а длина канала точно откалибрована по длине затвора. [27]
Схема, показанная на рис. 5.14, не учитывает сопротивления областей истока, стока и подложки. В нее не включен конденсатор, характеризующий емкость исток - подложка, так как исток соединен с подложкой, сопротивление которой не учитывается. [28]
В представленной структуре ионное легирование участков канала проводилось после получения областей истока и стока, диэлектрической пленки, контактов к истоку и стоку и затвора. Прозрачными для ионного, пучка являются области по обе стороны от затвора за исключением толстого окисла. В результате облучения ионным пучком области истока и стока продлены, а длина канала точно откалибрована по длине затвора. [29]
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора по переменному току.| Семейство выходных вольт-амперных характеристик полевого транзистора с управляющим р-я-пе-реходом. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5