Область - исток
Cтраница 4
После создания слоя диэлектрика над областью будущего затвора вытравливают окна, необходимые для получения контактных участков областей истока и стока, а также металлического слоя затвора. [46]
Очевидным недостатком этой базовой технологии является наличие значительного ( около 5 мкм) перекрытия электродом затвора областей истока и стока на участках с тонким окислом, вызывающее существенное увеличение емкости обратной связи затвор-сток, емкости затвор - исток и снижение быстродействия схем. Наличие такого перекрытия связано с формированием области канала в процессе трех различных фотолитографических операций, что заставляет закладывать в фотошаблоны запасы на разбросы и ошибки совмещения, фотогравировки и травления. Указанный недостаток можно практически полностью устранить, применяя ионное легирование, а также кремниевые и молибденовые затворы. [47]
Для получения n - каналыюго МОП-прибора в подложку р-типа методом диффузии вводится материал n - типа, образуя области истока и стока. [48]
Если же на затвор подать положительное напряжение, то под действием поля, созданного этим напряжением, из областей истока и стока, а также из кристалла в канал будут приходить электроны, проводимость канала увеличивается и ток стока возрастает. Этот режим называют режимом обогащения. [50]
Вследствие симметричной конструкции полевого транзистора со структурой металл-диэлектрик - полупроводник, работающего в режиме обогащения, физическое различие между областями истока и стока отсутствует. Однако схема включения определяет, какой из электродов следует использовать в качестве истока и какой - в качестве стока. Для МДП-транзистора с каналом - типа истоком принято считать диффузионную область - типа, к кото-рои прикладывается более высокое отрицательное напряжение, а для МДП-траязистора с каналом р-типа - область р - типа, к которой прикладывается более высокое положительное напряжение. Следует также отметить, что имеются конструкции МДП-транзис-торов с асимметричными областями истока и стока. Кроме того, в некоторых промышленных типах МДП-транзисторов контакт истока замкнут на подложку. В этих случаях исток и сток не могут быть функционально взаимозаменяемыми. [51]
В МОПТ с встроенным каналом л-типа ( рис. 57) тонкую ( доли микрометра) область канала 7, соединяющую области истока 3 и стока 8, изготовляют ионным легированием и диффузией примеси. [52]
В качестве внутрисхемных соединений в интегральных микросхемах используют металлическую рлзводку и высоколегированные диффузионные области, которые изготовляют одновременно с формированием областей истока и стока. [53]
 |
Схемные обозначения МДП-транзисторов. [54] |
Прибор может работать только в режиме обогащения, когда поле затвора притягивает носители соответствующего знака, создающие проводящий канал между областями истока и стока. Семейство стоковых характеристик МДП-транзисторов с индуцированным каналом n - типа приведено на рис. 1.11, в. При напряжении на затворе меньшем напряжения отсечки, ток стока / с практически отсутствует. [55]
 |
Схемные обозначения МДП-транзисторов. [56] |
Прибор может работать только в режиме обогащения, когда поле затвора притягивает носители соответствующего знака, создающие проводящий канал между областями истока и стока. При напряжении на затворе меньшем напряжения отсечки, ток стока / с практически отсутствует. [57]
По сравнению с р-канальным, у него подложка р-типа ( кремний, бедный электронами), в которой сделаны легированием п - области истока и стока, обогащенные отрицательными носителями - электронами. [58]
После этого подложка оказывается подготовленной к проведению второй фотолитографической операции, в процессе которой вскрывают окна под затвор и контактные площадки к областям истока и стока. [59]
МДП-транзисторы с индуцированным каналом находят более широкое применение, так как структуры такого типа могут изготавливаться в течение одного цикла диффузии, формирования областей истока и стока. Благодаря изоляции обратно смещенным р - n - переходом областей истока, стока и канала от остального объема подложки, соседние МДП-приборы не имеют гальванической связи и не требуют какой-либо дополнительной изоляции. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5