Область - коллектор
Cтраница 1
Область коллектора моделируется с помощью 1976 сопротивлений 2 величиной 300 ом, образующих 988 ячеек. Каждая ячейка моделирует область площадью 10 - 6 см2 ( квадрат 10X10 мк), а в целом моделируется область коллектора площадью 780x120 мм. Область пассивной базы представлена в виде одномерной цепочки сопротивлений RI ( ПО ом), причем каждое сопротивление соответствует участку базы длиной 10 мк. Под базовым контактом область базы принимается эквипотенциальной. [1]
 |
Структура планарно-эпи-таксиального транзистора. [2] |
Создание области коллектора заканчивает один технологический цикл. [3]
Но в области коллектора р - п - р транзистора ( Na - 1015 - ь - 1010 см 3) канал образуется всегда. Для исключения этого явления высокоомную область коллектора р-типа рассекают областью р, в которой инверсия не возникает. Противоканальные кольца создаются одновременно с областью р эмиттера. [5]
Большие площади и тонкая область коллектора, припаянная непосредственно к основанию транзистора, позволяют повысить мощность рассеяния Р с одновременным снижением впл. [6]
 |
Распределение избыточных концентраций доноров и акцепторов в дрейфовом транзисторе ( без соблюдения масштаба. [7] |
Высокое удельное сопротивление области коллектора нежелательно и из тех соображений, что это будет приводить к значительным падениям напряжения в теле коллектора. Для того чтобы уменьшить этот эффект, используют низкоомную пластину с нанесенным на нее тонким высокоомным эпитаксиальным слоем. [8]
Как объемное сопротивление области коллектора влияет на выходные ВАХ биполярного транзистора. [9]
 |
Зависимость. от коэффициента запирания транзистора ст. [10] |
Сплавные приборы имеют очень тонкую область коллектора, представляющую собой рекристаллизованный из расплава слой с высокой концентрацией примесей и с очень малым временем жизни. Поэтому для сплавных транзисторов накопление заряда неосновных носителей в области коллектора обычно не рассматривается. [11]
 |
Транзистор с общим эмиттером ( а, семейство его выходных ( б и входных ( в ВАХ. [12] |
Для транзисторов с высокоомной областью коллектора значения сопротивления тела коллектора гкк могут достигать десятков ом для маломощных, долей ома для мощных дискретных и сотен ом для интегральных транзисторов. [13]
 |
Изоляция элементов диэлектрическим слоем.| Биполярный транзистор полупроводниковой ИС. [14] |
Но у коллекторного перехода область коллектора должна иметь пониженную концентрацию примесей, чтобы переход имел большую толщину. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5