Область - коллектор
Cтраница 5
В неэпитак-сиальном транзисторе с диффузионной базой диффузионная длина для неосновных носителей в области коллектора довольно велика. Функция, обозначенная на рис. 4.3 а через пк ( х), показывает, что в добавление к заряду, накопленному в области базы, существенная доля заряда накапливается и в теле коллектора. Это - очень сложная в действительности задача. Если использовать формулы Эберса я Молла [ (10.93) - (10.95) ], то рассчитанные времена накопления оказываются намного короче, чем те, которые наблюдаются экспериментально. С точки зрения проведенного выше рассуждения этот результат не является сюрпризом. [61]
 |
Зависимость пробивного напряжения для плавного перехода в германии и кремнии от градиента концентрации. [62] |
Ше, так как в них пространственный заряд распространяется в основном в область коллектора. [63]
Страницы: 1 2 3 4 5