Область - коллектор
Cтраница 4
У транзисторов, коллекторный переход которых изготовлен методом диффузии, область коллектора может быть достаточно толстой и время жизни неосновных носителей в ней будет иметь тот же порядок величины, что и время жизни неосновных носителей в базе. [46]
Вследствие этого сокращается время прохождения дырок эмиттера через базу в область коллектора. Возрастает ток коллектора, но одновременно уменьшается ток базы ( ввиду сокращения ширины базы), что ведет к незначительным изменениям тока / 3 и сдвигам характеристик влево. Выходные или коллекторные характеристики транзисторов представляют зависимость / к / ( к) при / 3 const. При / э0 выходная характеристика аналогична характеристике диода для режима обратного напряжения. Величина тока коллектора / к при / э0 зависит от концентрации неосновных носителей тока в базе ( дырок) и коллекторе ( электронов) и при нормальных условиях составляет несколько микроампер. [47]
 |
Процесс изготовления и элемент тянутого транзистора. [48] |
Преимущество этой системы состоит в том, что, благодаря высокоомной области коллектора, предельные напряжения Ик6 на нем достигают 120 - 150 в; просто разрешается вопрос относительно мощности ( увеличивается площадь элементов); облегчается процесс получения большого числа транзисторов с идентичными параметрами. Недостаток - большие величины теплового сопротивления и сопротивления насыщения R к, что делает транзисторы малопригодными для работы в режимах переключения больших токов. [49]
 |
Зависимость а. от тока эмиттера для прибора, имеющего инжектирующий омический контакт металла. [50] |
Для измерения коэффициента усиления по току триода р-п - р к области коллектора аналогичного триода был присоединен неинжектирующий контакт. Как видно, увеличение коэффициента усиления с током эмиттера является особым свойством, присущим использованному методу изготовления перехода эмиттер - база. [51]
Так как детали вычисления а, включающие в расчет конечную проводимость области коллектора, являются достаточно запутанными, то здесь будут даны только конечные результаты. [52]
Создается многоэмиттерный транзистор одновременно с другими элементами схемы; поэтому параметры областей коллектора, базы и эмиттера у него те же, что и у обычного п-р - п транзистора: один и тот же концентрационный профиль, одинаковые удельные емкости и пробивные напряжения переходов. [53]
Когда граница ОПЗ, проходя через л - слой, достигает сильнолегированной области коллектора, дальнейшее расширение ОПЗ становится невозможным, начинает расти напряженность электрического поля в л - - слое и может наступить лавинный пробой. [54]
 |
Выходные характеристики транзистора в схеме с ОБ ( а, эквивалентная схема для случая / э з. 0 и / к 0 ( б. [55] |
Характеристика при / э0 является обычной характеристикой полупроводникового диода, образованного областями коллектора и базы. [56]
 |
Зависимость коэффициента передачи тока от тока эмиттера. [57] |
Другой эффект, возникающий при больших плотностях тока в транзисторах с относительно высокоомной областью коллектора, заключается в расширении базы вследствие оттеснения границы обедненного слоя коллекторного перехода в сторону, противоположную эмиттеру. Это приводит к значительному спаду предельной частоты усиления по току при больших токах у многих дрейфовых транзисторов. [58]
Кроме того, прямое напряжение на коллекторном переходе приводит к инжекции в область коллектора. [59]
Кроме того, прямое напряжение на коллекторном переходе приводит к инжекщш в область коллектора. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5