Область - коллектор
Cтраница 3
Для изоляции резистора от окружающих слоев кристалла на область коллектора, прилегающую к базовому слою, подают высокий потенциал, окружая резистор запертым переходом. [31]
 |
Точечный триод. [32] |
Ркдоп - наибольшая допустимая мощность, выделяющаяся в области коллектора. Марку П имеют плоскостные триоды, а марку С - точечные. [33]
Механизм этого явления связан с состоянием поверхности базы вблизи области коллектора, которая захватывает носители, если она адсорбировала влагу. Когда транзистор находится в режиме насыщения, концентрация дырок в базе очень велика, некоторая часть их захватывается поверхностью. Область поверхности базы около коллектора приобретает дополнительный положительный заряд. При запирании транзистора, когда коллектор получает смещение в обратном направлении, приповерхностная ширина перехода окажется меньше ( за счет за ряда дырок), чем ширина его в объеме, поле здесь будет также больше и при данном Uк может наступить умножение носителей, транзистор остается открытым за счет лавинно размножающихся носителей в коллекторе. Чем больше приповерхностный заряд, тем большее время для его рассасывания, тем сильнее затягивается спад импульса. Величина заряда зависит как от времени взаимодействия дырок объема с поверхностью, так и от их концентрации. [34]
Диффузионные потоки дырок устанавливаются в области эмиттера и в области коллектора, и. [35]
Для таких транзисторов заряд неосновных носителей, накопленный в области коллектора, может играть существенную роль. [36]
Полученное выражение показывает, что плотность электронного тока в области коллектора зависит от величины плотности дырочного тока. [37]
Для сплавных триодов с высокой концентрацией основных носителей в области коллектора рк концентрация неосновных носителей пк очень низка и первым слагаемым обычно можно пренебречь. [38]
Избыточный заряд накапливается в области базы и пассивной части области коллектора. [39]
 |
Устройство транзисторов. [40] |
При диффузионном методе изготовления р-л-перехода получается очень большое сопротивление области коллектора, которое приходится учитывать как последовательно включенное с нагрузкой сопротивление. [41]
Теория позволяет не только проследить тенденцию изменения температуры наиболее нагреваемой области коллектора с изменением длительности фронта, но и вычислить абсолютные значения температуры. [42]
И, наоборот, для ГС, расположенной в чисто нефтяной области коллектора, усиление анизотропных свойств коллектора приводит к возрастанию доли воды в накопленном объеме добытой жидкости. [43]
Вследствие этого сокращается время прохождения дырок эмиттера через базу в область коллектора. Возрастает ток коллектора, но одновременно уменьшается ток базы ( ввиду сокращения ширины базы), что ведет к незначительным изменениям тока / 3 и сдвигам характеристик влево. Выходные или коллекторные характеристики транзисторов представляют зависимость / к / ( к) при / 3 const. При / э0 выходная характеристика аналогична характеристике диода для режима обратного напряжения. Величина тока коллектора / к при / э0 зависит от концентрации неосновных носителей тока в базе ( дырок) и коллекторе ( электронов) и при нормальных условиях составляет несколько микроампер. [44]
Поэтому накопленные в базе дырки как неосновные носители уходят в область коллектора и в область эмиттера. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5