Область - коллектор
Cтраница 2
Концентрацию основных носителей в области коллектора обычно делают несколько меньшей, чем в области эмиттера. [16]
Электроны, диффундирующие из области коллектора внутрь слоя объемного заряда перехода J2, увлекаются сильным электрическим полем и попадают внутрь области базы. Эту диффузионную составляющую электронного тока можно определить, решив диффузионное уравнение для коллекторной области. [17]
Электроны, диффундирующие из области коллектора внутрь области объемного заряда, вместе с электронами, которые генерируются внутри слоя объемного заряда перехода / 2, смещенного в обратном направлении, переходят внутрь базовой области - типа. [18]
Наличие слаболегированной n - области коллектора приводит к двум дополнительным эффектам, снижающим коэффициент передачи тока, что особенно выражено в высоковольтных структурах биполярного транзистора. Первый эффект, названный по имени исследователя эффектом Кирка, связан с влиянием заряда электронов при протекании больших токов на конфигурацию объемного заряда в транзисторах. Увеличение тока транзистора приводит к расширению ОПЗ в л - слое коллектора при одновременном уменьшении размеров обедненной области вр-базе. [19]
Рпк - удельные сопротивления области коллектора, обусловленные дырками и электронами. [20]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей. Направление этого поля таково, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Таким образом, под влиянием этого поля носители могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине Ln ( см. § 1.3), но и из более далеких. [21]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей заряда и направленное так, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Под влиянием этого поля носители заряда могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине Ln, но и из более далеких. [22]
Имеющийся на поверхности полупроводника в области коллектора потенциальный барьер ограничивает ток через коллектор, и в отсутствие дырок этот ток достигает 1 или 2 ма. Дырки, оказывающиеся в непосредственной близости к коллектору, притягиваются отрицательным зарядом коллектора, стремясь при этом уничтожить или, по крайней мере, частично уменьшить потенциальный барьер вблизи поверхности. Но это приводит к увеличению тока через коллектор, так как гораздо большее число электронов может преодолевать потенциальный барьер. Увеличение тока коллектора в результате введения дырок и есть основа действия транзисторов. [23]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей заряда и направленное так, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Под влиянием этого поля неосновные носители заряда могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине Ln, но и из более далеких. [24]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей заряда и направленное так, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Под влиянием этого поля неосновные носители заряда могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине /, , но и из более далеких. [25]
Включение прямое, сопротивлениями объемов областей коллектора и эмиттера пренебречь. [26]
Так как мы предположили, что область коллектора и область эмиттера идентичны по своим параметрам, то и уравнения для них будут идентичными. [27]
 |
Зависимость Гмакс от смакс для случаев генератора напряжения и тока. [28] |
Определена зависимость максимальной температуры в наиболее нагреваемой области коллектора от длительности фронта с учетом явлений кумуляции тока и мощности в транзисторе. [29]
 |
Схема замещения четырехслойной транзисторной структуры.| Основные диодные включения интегрального транзистора.| Схематическое изображение диффузионного резистора ( а и его схема замещения ( б. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5