Область - база
Cтраница 1
Область базы, как и эмиттерная область, получается диффузией легирующей примеси через вскрытые под диффузию окна в слое двуокиси кремния. Пленка SiO2 защищает участки поверхности подложки от про-ни кновени я атомов диффузанта обеспечивая локальный характер диффузии. Переходы база - эмиттер, база - коллектор образуются в местах пересечения соответствующих профилей концентрации ( рис. 1.2), так как именно в этих точках концентрация диффундирующей примеси равна уже имеющейся концентрации примеси противоположного типа проводимости. [2]
Область базы можно рассматривать как некоторое распределенное сопротивление базы 1), вдоль которого существует равномерное ( предположительно) падение потенциала. [3]
В области базы при введении в нее неосновных носителей происходит увеличение концентрации основных носителей. Это явление связано с необходимостью сохранения электрической нейтральности. Так как неосновные носители распределяются в базе неравномерно, то так же неравномерно распределятся и основные носители, следовательно, возникнет градиент концентрации, а это приведет к появлению электрического поля в области базы. Кроме того, увеличение концентрации основных носителей может привести к изменению времени жизни. Этими явлениями можно пренебречь при низком уровне инжекции, но их необходимо учесть при высоком уровне инжекции. [4]
В области базы небольшая часть дырок рекомбинирует с электронами и образует ток / б, протекающий в цепи базы. [5]
В области базы происходит накопление дырок - носителей тока. [6]
В области базы образуется поперечное электрическое поле, которое уплотняет неосновные носители зарядов ( дырки в / 7-п-р - тетродах) в районе одной стороны базы. [7]
В области базы остаются неравновесные носители - дырки, инжектированные до момента времени t - Л, и не успевшие еще дойти до коллекторного перехода. Ток коллектора не изменяется. К первоначальному значению возвращается и ток базы. [8]
 |
Установление прямого сопротивления диода. [9] |
Если область базы изготовлена из высокоомного полупроводника, то уже при относительно низких значениях тока концентрация неравновесных носителей может стать соизмеримой с концентрацией равновесных носителей. Это должно повлечь за собой уменьшение сопротивления базы. [10]
Поскольку область базы сохраняет электрическую нейтральность и все внешние напряжения падают на эмиттер-ном и коллекторном переходах, напряженность электрического поля в базе может с достаточной степенью точности считаться равной нулю. [11]
При очень тонкой области базы полупроводникового триода с одинаковым поперечным сечением всех областей контакт с внешним электродом обычно перекрывает область эмиттера и область коллектора. При несколько более широком базовом слое контакт может касаться только одного этого слоя. [13]
Рекомбинация в области базы отсутствует и рекомби-национный ток в базе равен нулю. [14]
Поглощающийся в области базы свет генерирует электроны и дырки. Находящийся под обратным смещением р-га-переход ( за счет падения напряжения на RK) разделяет неравновесные носители так же, как и в фотодиоде. Таким образом фототок усиливается в gR3 раз. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5