Область - база
Cтраница 4
 |
Эквивалентные схемы диффузионного резистора.| Относительное изменение сопротивления диффузионного резистора с увеличением частоты.| Зависимости диффузионных сопротивлений от температуры. [46] |
Для избежания этого, область базы обычно соединяют с точкой наибольшего потенциала. [47]
Дырки, попавшие в область базы, частично рекомби-нируют со свободными электронами базы. Однако база обычно выполняется из n - полупроводника с большим удельным сопротивлением ( с малым содержанием донор ной примеси), поэтому концентрация свободных электронов в базе низкая и лишь немногие дырки, попавшие в базу, рекомбинируют с ее электронами. [48]
Обычно при изготовлении транзисторов область базы делают очень тонкой, так что расстояние между этими переходами не превышает 20 мкм. Кроме того, концентрация основных носителей заряда в эмиттере должна во много раз превышать концентрацию основных носителей в базе. [49]
Под влиянием освещения в области базы происходит генерация неравновесных пар носителей заряда. При малом уровне инжекции и равномерном распределении примеси в базе можно считать, что неравновесные носители в базе перемещаются к эмиттерному и коллекторному переходам только за счет диффузии. Электрическое поле коллекторного перехода не препятствует уходу дырок из базы в коллектор, но задерживает электроны в базовой области. Парные заряды как бы разделяются на коллекторном переходе. В связи с тем, - - что база не имеет вывода, электроны остаются в базовой области, создавая отрицательный пространственный заряд. Этот отрицательный пространственный заряд воздействует на эмиттерный переход, смещая его в прямом направлении. Уменьшение высоты потенциального барьера вызывает инжекцию из эмиттера в базу дополнительных дырок. Небольшая их часть ре-комбинирует в базе с электронами, большая же часть диффундирует через базу к коллекторному переходу и уходит в коллектор, увеличивая его ток. [50]
 |
Выходные ВАХ биполярного п-р - п транзистора в схеме с общим эмиттером.| Входные ВАХ биполярного п-р - п транзистора в схеме с общим эмиттером. [51] |
Транзистор, в котором область базы обладает электронной, а области эмиттера и коллектора дырочной проводимостью, является транзистором р-п - р типа. Транзистор, имеющий базу с дырочной проводимостью, а эмиттер и коллектор с электронной проводимостью, представляет собой транзистор п-р - п типа. При нормальном включении биполярного транзистора и работе в активном режиме его эмиттерный переход смещен в прямом, а коллекторный - в обратном направлениях. В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом направлении. [52]
Поскольку инъектированные эмиттером в область базы электроны оказываются здесь неосновными и неравновесными носителями, они вступают в диффузионное движение, стремящееся выровнять их концентрацию в базе. [54]
 |
Распределение токов в транзисторе структуры р-п - р при нормальных смешениях. [55] |
Поскольку инжектированные эмиттером в область базы дырки оказываются здесь неосновными и неравновесными носителями, они вступают в диффузионное движение, стремящееся выровнять их концентрацию в базе. Так как толщина базы мала ( wL), то основная часть дырок достигает границы коллекторного р-п перехода, беспрепятственно пересекает его и образует в коллекторной цепи ток / Kj. Небольшая часть дырок успевает рекомбинировать в базе с основными носителями ( электронами) и образует в цепи базы небольшой рекомбинационный ток / вр. [56]
Эмиттерный р-га-переход инжектирует в область базы дырки, которые диффундируют в направлении коллекторного перехода. [57]
Благодаря очень малой толщине области базы основные носители, имеющие значительную кинетическую энергию, успевают диффундировать в зону коллекторной области. [58]
 |
Учет барьерных емкостей р-п переходов. [59] |
Ск и распределенное сопротивление области базы rg ( рис. 9 - 61, а), влияние которых бывает заметным уже на частотах в десятки килогерц. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5