Cтраница 5
![]() |
Структура транзистора, ления квадратного участка принятая для расчета сопротивления. [61] |
Ток, идущий через периферическую область базы, такой обратной связи не создает. [62]
![]() |
Вольтамперные характеристики фототранзистора. [63] |
Начинается дополнительная ин-жекция дырок в область базы. Однако большинство дырок проходит базу и уходит в коллектор. Меньшая часть рекомбинирует в области базы с электронами. [64]
Бездрейфовыми называются транзисторы, в области базы которых в равновесном состоянии отсутствует электрическое поле, так как примеси в базе распределяются равномерно. Для таких транзисторов характерен диффузионный механизм движения неосновных носителей в базе. [65]