Область - база
Cтраница 3
Градиент примеси в области базы может приводить к появлению V и, следовательно, к образованию поля. Если наличие градиента примеси приводит к созданию высокой плотности свободных электронов в области базы у эмиттера, быстро спадающей, по существу, к собственному уровню у коллекторного перехода, то в области базы действительно возможно образование поля средней величины. Если концентрация примеси спадает при увеличении расстояния в направлении от эмиттера к коллектору, то V отрицательно и, следовательно, способствует образованию положи - iciubHuiu ускоряющего поля. [31]
Падение напряжения в области базы, как это уже обсуждалось в предыдущем разделе, стремится оттеснить эмиссию к базовому контакту. Таким образом, существует две противоположные тенденции. Основная доля накопленного заряда пр и больших сигналах может быть расположена в области под эмиттером. Так ли это или не так, зависит от соотношения падений напряжения в теле коллектора и в теле базы. [32]
Переход дырок в область базы сопровождается их рекомби-нацией ( соединением) с электронами, что нежелательно, поэтому конструктивно толщина базы берется такой ( не более 0 25 мм), чтобы большинство дырок успевало проникнуть из эмиттера в коллектор. Кроме того, для преимущественного перехода дырок из эмиттера в базу их концентрация в области эмиттера создается примерно в 100 раз большей, чем в области базы. Это обстоятельство - рбъясняет и значительное различие в удельных сопротивлениях эмиттера и базы. В области базы дырки, двигаясь в сторону меньшей концентрации, достигают коллекторного перехода. [33]
Таким образом, приколлекторная область базы заряжается положительно, а это позволяет сделать предположение, что объемные ловушки взаимодействуют в основном с зоной проводимости. [34]
Из-за ограниченной толщины области базы количество инжектированных носителей в полупроводниковом триоде получается меньшим, меньше получается и емкость. Появление диффузионной емкости эмиттера иллюстрируется рис. 5.19. Заштрихованная область на рисунке условно показывает приращение числа инжектированных носителей в области базы, которому пропорционально приращение заряда. [35]
Свет, поглощаясь в области базы, генерирует электронно-дырочные пары. [36]
Вследствие того, что область базы имеет определенное сопротивление гб, ток базы создает падение напряжения, соизмеримое с падением напряжения на переходе. [37]
Создание электрического поля в области базы может достигаться несколькими методами. [38]
 |
Движение носителей заряда в транзисторе типа р-п - р.| Движение носителей заряда в транзисторе р-п - р при отсутствии тока эмиттера. [39] |
Дырки, попав в область базы, для которой они являются неосновными носителями, частично рекомбинируют со свободными электронами базы. [40]
При освещении фототриода в области базы, эмиттера или коллектора образуются пары электрон-дырка, причем свободные электроды, увлекаемые электрическим полем, перемещаются из областей эмиттера и коллектора в область базы, а дырки диффундируют в основном в коллектор. Следовательно, на базе скапливается отрицательный заряд. [41]
Избыточный заряд накапливается в области базы и пассивной части области коллектора. [42]
Инжектированные дырки диффундируют через область базы, в которой незначительное их число рекомбинирует с электронами. Следовательно, существует поток электронов в базовую область ( из внешней цепи), непрерывно восстанавливающий число электронов, теряемых при рекомбинации. Остальные дырки, не участвующие в рекомбинации, поступают на коллектор. [43]
 |
Включение транзистора типа п-р - п по схеме с общим эмиттером ( а и его схема замещения ( б. [44] |
Электроны, попавшие в область базы, частично рекомбинируют с дырками базы. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5