Область - база
Cтраница 2
Поэтому в области базы процесс тепловой генерации преобладает над процессом рекомбинации. Генерируемые электроны уходят из базы через базовый вывод, что означает наличие электрического тока, направленного в базу транзистора. [16]
 |
Модель и эквивалентная схема диода. [17] |
Чем длиннее область базы с высоким сопротивлением, тем дольше протекает ток. Эквивалентная схема прибора показана на рис. 5.19. Но такие приборы обладают низкой добротностью и плохой температурной стабильностью. [18]
Для - области базы электроны являются неосновными носителями, и поле перехода Рк увлекает их на другую сторону в коллекторную область. Ток через переход Рк после подачи напряжения ( Ja возрастает, иными словами, обратное сопротивление перехода Рк уменьшится. [19]
При освещении области базы ( Ф 0) в ней генерируются неравновесные пары носителей заряда - электроны и дырки, которые диффундируют к эмиттерному и коллекторному переходам. При этом электрическое поле коллекторного перехода втягивает в коллектор дырки, являющиеся для области базы неосновными носителями заряда, но задерживает в базе электроны, разделяя, таким образом, парные заряды. Ушедшие в коллекторную цепь дырки, образующие фототек / ф, увеличивают обратный ток коллектора на величину / к / ф ( режим фотодиода), а оставшиеся электроны при отключенной базе создают в ней отрицательный пространственный заряд, смещающий эмиттерный переход в прямом направлении. [20]
Для формирования области базы п - р - n - транзистора используется две операции ионного легирования ( имплантации) примеси. [21]
 |
Схема включения ( а и семейство коллекторных вольтамперных характеристик ( б фототранзистора при различных уровнях освещенности. [22] |
При освещении области базы электронно-дырочные пары разделяются у коллекторного перехода. Дырки втягиваются в коллектор, а электроны остаются в базе. [23]
При освещении области базы транзистора через окно в его корпусе образуются электронно-дырочные пары. При этом дырки втягиваются в коллектор электрическим полем обратного напряжения между базой и коллектором, а электроны остаются в базе, поскольку она не подключена и ее ток не может скомпенсировать их избыток. Избыточная концентрация электронов в базе увеличивает прямое напряжение перехода эмиттер-база, что увеличивает поступление в базу дырок из эмиттера, большинство которых достигает коллекторного перехода, и ток коллектора растет. Таким образом, появление избыточного заряда в базе вследствие ее освещения приводит к появлению значительного фототока в цепи коллектора. На базу фототранзистора подают внешнее напряжение, спрямляющее его вольт-амперные характеристики и частично компенсирующее зависимость режима от температуры. [24]
Уменьшение толщины области базы W ограничивается рядом причин и, в частности, необходимостью создания омического контакта с областью базы. Реальное значение W0 003 см. Длина диффузии неосновных носителей заряда Le в сильно легированном германии относительно мала. [25]
Концентрацию акцепторов в области базы - типа можно не учитывать, так как она очень мала. [26]
При их изготовлении область базы и коллекторный переход создаются методом диффузии, а эмиттер-ный переход - методом вплавления. Схематическое устройство такого транзистора показано на рис. 11.326. В качестве основы при изготовлении транзистора веретен пластина германия 2 с дырочной проводимостью, в которой делается лунка продолговатой формы, затем пластинка подвергается обработке в парах сурьмы, при диффузии которой образуется слой с электронной проводимостью 3, после чего пластинка германия шлифуется. При шлифовке удаляется слой с электронной проводимостью со всей поверхности, кроме лунок. [27]
 |
Энергетическая схема и распределение токов в транзисторе п-р - п типа. [28] |
Инжектируемые эмиттером в область базы электроны оказываются здесь неосновными и неравновесными носителями. Они имеют диффузионное движение, стремящееся выровнять их концентрацию IB базе. [29]
Если же в области базы имеется поле, которое ускоряет поток неосновных носителей от эмиттера к коллектору ( такое поле называется ускоряющим), то время, необходимое неосновным носителям для пересечения области базы, сокращается. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5