Эмиттерная область
Cтраница 1
 |
Конструкции тиристоров. [1] |
Эмиттерные области здесь представляют собой сильно легированные примесями диффузионные слои, что обусловливает низкое сопротивление открытого прибора. [2]
 |
Структура ( а, схема включения ( б и условное обозначение ( в фототранзистора. [3] |
Эмиттерная область обращена в корпусе прибора в сторону стеклянного окна, через которое свет проникает в область базы транзистора. [4]
Эмиттерная область содержит наибольшую концентрацию примесей и обладает наименьшим удельным сопротивлением слоя. [5]
 |
Технология изготовления эпи-таксиально-планарных кремниевых транзисторов. [6] |
Эмиттерные области получают при двухстадий-ной диффузии фосфора через эмиттерные окна при температуре около 1000 С в течение часа. [7]
Эмиттерная область содержит наибольшую концентрацию примесей и обладает наименьшим удельным сопротивлением слоя. [8]
 |
Микрофотография одиночной частицы выпавшего кремния на поверхности после стравливания алюминия, снятая в электронном микроскопе ( Х. [9] |
Очень мелкие эмиттерные области также чувствительны к раствореник) кремния. В этом случае может происходить сквозное проникновение А1, нормальное к поверхности эмиттерного перехода. [10]
Поскольку эмиттерная область плоскостного транзистора образована полупроводником с проводимостью р-типа, примесные атомы, обусловливающие эту проводимость, являются акцепторами. Отрицательно заряженные ионизированные атомы акцепторов в этой области обозначены знаком минус в кружке. Соответственно положительно заряженные ионизированные атомы доноров в области базы с проводимостью л-типа обозначены знаком плюс в кружке. [11]
Сопротивление эмиттерной области обычно пренебрежимо мало по сравнению с сопро-тивлением базы из-за высокой концентрации примесей. [12]
К эмиттерным областям присоединены выводы. Электрод, примыкающий к р-эмиттеру, называется анодом А, а к тг-эмиттеру - катодом К. Переходы П и Я3 называют эмиттерными, а переход Я2 - коллекторным. [13]
 |
Возможные варианты использования электронно-дырочных перекодов транзисторной структуры в качестве диода ( а и их эквивалентные. [14] |
Если же эмиттерная область сформирована, то цепь эмиттера остается разомкнутой. Площадь коллекторного перехода значительно больше площади эмиттерного перехода, поэтому использование коллекторного перехода в качестве диодной структуры дает возможность пропускать большие прямые токи. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5