Cтраница 5
Однако выражение ( 1) не учитывает влияния на разрешающую способность сканистора параметров эмиттерной области, величины времени жизни неосновных носителей заряда, а также того факта, что величина прикладываемого напряжения, в случае малой толщины базовой области будет определяться условием перекрытия базовой области областью объемного заряда. [61]
В микроэлектронике применяются также транзисторы, обладающие двумя и более изолированными друг от друга эмиттерными областями. В результате появляются разнообразные варианты схем включения. Существует также возможность получения транзисторов с несколькими коллекторами. [62]
Носители того же знака инжектируются внутрь базы, а противоположного знака - из базы в эмиттерную область до тех пор, пока не восстановится равновесие. [63]
Если сравнивать п - р - / г-транзистор с вакуумным триодом, то очевидно, что эмиттерная область играет роль накаленного катода, а базовый электрод - роль сетки, пропускающей и запирающей поток электронов на коллектор - анод. [64]
Причем высокоом-ные резисторы создают в процессе диффузии, базовых областей, а низкоомные - в процессе диффузии эмиттерных областей, когда вводятся более высокие концентрации примеси. [65]
При Ua - 1 / вкл внутренняя положительная связь вызывает лавинообразный процесс инжекции основных носителей заряда из эмиттерных областей в базовые. [66]
Исходя из условия электрической нейтральности, легко показать, что в исследуемом интервале температур концентрация дырок в эмиттерной области остается практически постоянной и, следовательно, множитель ai не зависит от температуры. [67]