Эмиттерная область
Cтраница 2
На границе эмиттерной области с базовой, а также на границе базовой области с коллекторной образуются электронно-дырочные переходы. Нижняя поверхность транзистора покрывается металлической пленкой и к ней приваривается вывод коллектора. Металлические пленки наносятся также на часть поверхности эмиттера и базы, а к ним привариваются выводы этих электродов. [16]
Для формирования эмиттерных областей транзисторов, нижних обкладок конденсаторов со структурой металл-окисел - - кремний и коллекторных контактов вновь производится травление окон в окисном слое ( рис. 11 - 1, г) и введение с помощью диффузии примесей, создающих в этих областях большую концентрацию носителей я-типа. [17]
На границе монокристаллической эмиттерной области со слоем поликремния ( см. рис. 3.11) скорость поверхностной рекомбинации значительно ниже, чем на границе с металлом. Это позволяет создавать эмиттерные области толщиной менее 0 1 мкм. [18]
В закороченном эмиттере эмиттерная область закорачивается вдоль ее периферии с промежуточной базовой областью общим металлическим контактом. Если через прибор проходит ток, то ток в базовой области ( под эмиттером) течет поперек базы к закороченной области на периферии эмиттера и входит в прибор или выходит из прибора через общий закорачивающий омический контакт, который пе - рекрывает эмиттер и базу. В этот момент поперечная составляющая тока ( текущего мимо эмиттера) составляет меньшую часть полного тока, чем ток инжекции из центра эмиттера. [19]
 |
Вид сверху структуры интегрального эпитаксиально-планарного транзистора с одним ( а и двумя ( б базовыми вы. [20] |
В обеих структурах эмиттерная область представляет собой диффузионный слой прямоугольной формы с размерами 25x37 5 мкм. [21]
 |
Пример конструкции высокочастотного транзистора. [22] |
В обычных транзисторах эмиттерная область сильно активирована и через нее идет ток со сравнительно низкой плотностью. [23]
Концентрация примесей в эмиттерной области 2 невелика, так как она создается на основе эпитаксиального слоя л-типа. Поэтому при прямом напряжении через эмиттерный р-п переход кроме полезного тока инжекции электронов в активные области базы, расположенные под коллекторами, течет значительный ток встречной инжекции дырок из базы в эмиттер, уменьшающий коэффициент инжекции эмиттер-ного р-п перехода. Кроме того, часть электронов инжектируется иа эмиттера не в активные, а в пассивные области базы, расположенные, например, между коллекторами и под базовым контактом. Эти электроны рекомбинируют в пассивной базе, на ее поверхности, на базовом контакте и не достигают коллекторов. [24]
Основным методом создания базовых и эмиттерных областей является метод диффузии. [26]
 |
Схемы включения транзистора.| Схема токопрохождения в транзисторе типа р-п - р. [27] |
При изготовлении транзисторов эмиттерную область выполняют с лучшей электропроводностью и большей ( раз в 100) концентрацией основных носителей тока, чем базовую. [28]
Концентрация основных носителей в эмиттерной области на 2 - 3 порядка выше, чем в базе, поэтому инжекция дырок в базу / эр превышает поток электронов / эп из базы в эмиттер. При этом через эмиттерный переход проходит суммарный ток эмиттера / э / Эр / эп. Убыль дырок в эмиттере компенсируется уходом из него во внешнюю цепь такого же количества электронов. [29]
Замена металлического контакта к эмиттерной области контактом из поликремния л - типа позволяет уменьшить толщину эмиттера ( глубину залегания эмиттерного р-п перехода) до 50 нм. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5