Эмиттерная область

Cтраница 4

Таким образом обеспечивается необходимое сопротивление делителя напряжения вдоль по эмиттерной области сканистора. [46]

Структура плоскостного транзистора и его условное обозначение. [47]

Одной из особенностей конструкции транзистора является то, что сопротивление эмиттерной области выбирается во много раз меньше, чем базовой; для конструкции типа р - п - р это означает, что концентрация дырок в эмиттерной области много больше, чем в базовой. Если бы концентрации были равны, то эмиттерный ток состоял бы наполовину из электронов, инжектированных из базы в эмиттер, наполовину из дырок, инжектированных из эмиттера в базу. Так как концентрация дырок в эмиттере очень высокая, практически весь эмиттерный ток состоит из дырок, инжектированных в базу. [48]

Это имеет место, например, тогда, когда проекции эмиттерных областей n - типа на верхнюю или нижнюю плоскость пластины пересекаются между собой. При прохождении тока через левую часть прибора избыточный заряд накапливается в базовом слое Пч слева, включая и область перекрытия. [49]

Рассмотрим закономерность ведения процесса диффузии, а также примеры создания базовых и эмиттерных областей схемы. [50]

В случае же постоянного напряжения на эмиттерном переходе, в эмиттерную область попадает только часть приращения тока коллектора, величина которой определяется коэффициентом передачи тока коллектора а, в то время как остальная часть ответвляется в замкнутую накоротко базовую цепь транзистора. [51]

В процессе создания транзистора слой 2 является источником примесей при формировании эмиттерной области л - типа. Тем самым обеспечивается самосовмещение эмиттерной области и контакта. Расстояние между эмиттером и базовым контактом очень мало ( меньше 0 5 мкм), так как оно определяется толщиной диоксида, выращенного на первом слое поликремния, и не зависит от разрешающей способности литографии и точности совмещения. Благодаря указанным особенностям структуры и технологии удается снизить сопротивление базы. Кроме того, вся коллекторная контактная область 3 дополнительно легирована донорами для уменьшения ее сопротивления. [52]

Конструкция фототранзистора ФТ-1.| Энергетическая диаграмма фототранзистора без освещения ( а и при освещении ( б. [53]

В результате увеличивается поток неосновных носителей, инжектируемых в базу из эмиттерной области. Образование в базовой области ( при ее освещении) дополнительного объемного заряда неравновесными основными носителями и является тем фактором, который обеспечивает в фототранзисторе усиление фототока. [54]

Конструкция фототранзистора ФТ-1. [55]

В результате увеличивается поток неосновных носителей, инжектируемых в базу из эмиттерной области. [56]

Перечисленные результаты необходимо учитывать при расчете примесного профиля диффундирующих атомов в эмиттерных областях эпитаксиально-планарных транзисторов полупроводниковых ИМС. Длительность разгонки эмиттерной примеси обычно составляет менее одного часа. [57]

Эквивалентные Т - образные схемы транзистора с генератором ЭДС ( а и тока ( б. [58]

Сопротивление гэ представляет собой сопротивление эмиттерного перехода, к которому добавляется сопротивление эмиттерной области. Подобно этому гк является суммой сопротивлений коллекторного перехода и коллекторной области, но последнее очень мало по сравнению с сопротивлением перехода. А сопротивление сб есть поперечное сопротивление базы. [59]

Следует напомнить, что, согласно теории действия транзистора л-р-л-типа, электроны из эмиттерной области с проводимостью л-типа переходят в центральную р-область базы благодаря уменьшению высоты потенциального барьера между ними. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5