Эмиттерная область

Cтраница 3

Типичное распределение концентрации примеси в структуре планарно-эпитак-сиального транзистора. t - скрытый слой. 2 - концентрация носителей в эпитаксиальном слое. 3 - профиль концентрации после базовой диффузии. 4 - профиль концентрации после эмиттерной диффузии. [31]

Область базы, как и эмиттерная область, получается диффузией легирующей примеси через вскрытые под диффузию окна в слое двуокиси кремния. Пленка SiO2 защищает участки поверхности подложки от про-ни кновени я атомов диффузанта обеспечивая локальный характер диффузии. Переходы база - эмиттер, база - коллектор образуются в местах пересечения соответствующих профилей концентрации ( рис. 1.2), так как именно в этих точках концентрация диффундирующей примеси равна уже имеющейся концентрации примеси противоположного типа проводимости. [32]

МДП инвертор. [33]

В качестве общей шины используется эмиттерная область транзисторов, а в качестве шины питания - инжекторная область. Поэтому при расположении инжекторной области внизу кристалла обе шины питания могут быть исключены. Уменьшение числа внутрисхемных соединений приводит к повышению надежности устройств. [34]

Кшрой затем способом диффузии получают эмиттерную область. [35]

Основные этапы формирования биполярной структуры с изоляцией термическим окислом. [36]

Формирование транзистора завершается двухстадий-ной диффузией в эмиттерные области, созданием контактов и металлизации. Легирование базы ( на рис. 2.3 д показано штриховой линией) может быть выполнено с той же целью, что и в КИД-структуре. [37]

В меза-планарных и планерных транзисторах форма эмиттерной области определяется очертаниями отверстия в маскирующей окисной пленке, полученного в процессе фотолитографической обработки перед диффузией фосфора. [38]

Диффузионный резистор. [39]

Это объясняется тем, что в эмиттерной области сосредоточено наибольшее количество основных носителей зарядов, а в базовой очень мало. [40]

Кристалл полупроводника ( база) имеет эмиттерную область, площадь которой значительно меньше, чем в обычных транзисторах. [41]

Виды конфигураций планарных транзисторов. [42]

Затем опять следует диффузия легирующей примеси для образования эмиттерной области. При последующем окислении все границы р - n переходов, выходящие на поверхность, оказываются скрытыми под окислом ( рис. 7.11 д), что обусловливает более стабильные свойства поверхности и малые обратные токи. [43]

Тогда / э / рэ / пэ - Электропроводность эмиттерной области, получаемой обычно вплавлением, например, в га-германий индия, значительно больше электропроводности базы. [44]

Концентрационное распределение примеси в р-п - р структуре скани-стора с легированной золотом базой.| Общий вид и деталировка сканистора типа ТСП-250 ( справа и ТСП-600 ( слева. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5