Изолирующая область
Cтраница 1
 |
Структуры узлов при щелевой изоляции.| Структура ИМС с металлизацией в изолирующих областях. [1] |
Изолирующие области 3 имеют диэлектрический слой 4 и заполнены поликристаллическим кремнием, легированным донбрной или акцепторной примесью. [2]
 |
Изготовление биполярных транзисторов методом планарно-диффузионной технологии.| Изготовление биполярной транзисторной структуры с помощью эпи-таксиально-планарной технологии. [3] |
Создание изолирующих областей и р-п переходов наиболее успешно осуществляется с помощью эпитаксиально-планарной технологии. [4]
Очевидно, изолирующие области в виде областей пространственного заряда могут создаваться как с помощью р-п-перехода, так и с помощью диода Шотки. [5]
 |
Схема изопланарного процесса. [6] |
При формировании изолирующих областей в качестве маски, которая затем удаляется, используются SiC или нитрид кремния. После образования диэлектрических областей проводят диффузионные и другие процессы, необходимые, для создания ИМС. [7]
 |
Основная логическая схема ТТЛ с диодами Шотки.| Основная логическая схема ЭСЛ.| Структура ( а и основная схемы ( б логической микросхемы с инжекционным питанием ( И2Л. [8] |
Отсутствие резисторов и изолирующих областей между активными элементами дает возможность существенно повысить плотность размещения элементов на кристалле и способствует снижению потребляемой мощности и повышению быстродействия. Поэтому этот тип логики находит широкое применение в больших и сверхбольших интегральных микросхемах. [9]
 |
Оборудование фотолитографической желтой комнаты в современной чистой комнате. [10] |
Фотошаблоны формируют рисунок проводящих и изолирующих областей, который переносится на пластину с помощью фотолитографии. Большинство фирм не производит собственные фотошаблоны, а применяют поставляемые изготовителями. [11]
В настоящее время формирование изолирующих областей осуществляется двумя способами. [12]
 |
Последовательность формирования изолированных областей методом коллекторной изолирующей диффузии. [13] |
На основе метода изоляции с помощью специальных изолирующих областей созданы две группы ИМС. [14]
Недостатком метода разделительной диффузии является большая площадь изолирующих областей за счет диффузии под слой SiOg, что обусловливает большие паразитную емкость и токи утечки. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5