Изолирующая область

Cтраница 5

Недостаток метода кристаллографическое несовершенство участков изолированных областей, примыкающих к изолирующему оксиду, что затрудняет реализацию пристеночного БТ. При этом формируются не изолированные, как в предыдущем случае, а изолирующие области, для которых кристаллографическое несовершенство несущественно. [61]

Эти недостатки устранены в инжекционной интегральной структуре со скрытым эмиттером для логики с диодами Шоттки ( ИСЭШ) [22, 23], разрез которой представлен на рис. 5.14. База р-типа может быть создана как диффузионным способом, так и методом ионного легирования. Изоляция структуры может быть как диэлектрической, так и диффузионной, причем диффузионная изолирующая область формируется одновременно с инжектором и диффузионной областью под базовым контактом ( см. гл. [62]

Двухфазное состояние вырожденного антиферромагнитного полупроводника. изолирующее ( а и проводящее ( б. Заштрихована ферромагнитная часть, не заштрихована антиферромагнитная часть кристалла. [63]

Важной особенностью манганитов является то обстоятельство, что в определенных пределах концентрации допантов ( см. рис. 2.6) переход из антиферромагнитного состояния в ферромагнитное сопровождается и переходом от диэлектрической к металлической фазе. Поэтому предполагалось, что ферромагнитные капли являются высокопроводящими, а антиферромагнитные - изолирующими областями. Фазовый переход диэлектрик-металл возникает при определенной концентрации носителей, когда ферромагнитные капли вступают в контакт между собой. [64]

В целях ускорения разрыва электрической дуги, возникающей при размыкании контактов и уменьшения их обгорания, у трех неподвижных контактов установлены постоянные магниты. У наиболее нагруженных контактов, кроме постоянного магнита устроена асбоцементная щелевая камера, изолирующая область возникновения дуги с двух сторон. [65]

Для создания на полупроводниковой пластине транзисторов применяются пленарная и планарно-эпитаксиальная топологии, используемые также для изготовления отдельных современных транзисторов. Различие в характеристиках транзисторов полупроводниковых микросхем и отдельных транзисторов может быть обусловлено свойствами изолирующей области, в которой находится транзистор на пластине твердой схемы. [66]

С помощью базовой изолирующей диффузии изготавливают компоненты, работающие при малых уровнях мощности в ненасыщенном режиме. Недостатком приборов, созданных по этой технологии, является необходимость дополнительного источника питания для обратного смещения изолирующих областей. [67]

Эти транзисторы используют в микросхемах вместе с одно-эмиттерными. Поэтому МЭТ изготовляют с помощью тех же технологических процессов, что и одноэмиттерные, а структура МЭТ содержит те же полупроводниковые слои и изолирующие области. [68]

Страницы: 1 2 3 4 5