Изолирующая область

Cтраница 2

Основные этапы формирования транзисторной структуры по V-ATE - техноло-гии. [16]

Последующее маскирование и травление защитного окисла выполняют под изолирующие области, которые создаются с помощью вертикального анизотропного травления. Возможно также анизотропное газовое травление. По окончании травления образуются четкие V-образные канавки с углом 54 44 к поверхности. Травление происходит в основном вниз. [17]

Структура транзистора, полученного по полипланарной технологии.| Транзистор Шотки. [18]

В логических элементах этого типа не требуется ни изолирующих областей, ни резисторов, что позволяет достичь высокой плотности интеграции. Изготавливаются И2Л - схемы по обычной планарной технологии с использованием пяти фотолитографий. [19]

Окисная изоляция компонентов.| Изоляция компонентов типа изопланар. [20]

При использовании окисной изоляции отпадает необходимость в отделении изолирующей области от базы транзистора, чем достигается 40 % - ная экономия площади. [21]

Структура ( а-г и выходные характеристики ( д полевого транзистора с управляющим р-я-переходом и каналом п-типа. [22]

МДП-транзисторы ( металл-диэлектрик-полупроводник), где в качестве изолирующей области используются другие, в том числе слоистые, диэлектрики, например двухслойный диэлектрик на основе окисла кремния и нитрида кремния. [23]

Структуры элемента КМОП. [24]

Формирование боковой диэлектрической изоляции осуществляют путем травления канавок под изолирующие области и их заполнения. [25]

Активные паразитные компоненты схемы исключаются соответствующим включением подложки и изолирующих областей резисторов. Свойственные диодным структурам емкости стремятся свести к минимуму, что достигается в диодной схеме выполнением входных диодов с общим коллектором и общей базой. При этом площадь коллекторного перехода сводится к минимуму. Однако в данном случае появляются дополнительные паразитные элементы - торцевые п-р - п транзисторы. [26]

Разновидности транзисторов с комбинированной изоляцией различаются прежде всего конструкциями боковых изолирующих областей и технологией их изготовления. [27]

Электромагнитный стабилизатор напряжения с насыщенным магнитным сердечником.| Феррорезонансный параллельный контур. [28]

В этой области выделяется тепловая энергия, которая через тонкую изолирующую область 2 передается в верхнюю часть термоэлектрической области. Под действием полученной энергии электроны из верхней области начинают диффундировать в нижнюю, более холодную область полупроводника. В результате этого нижняя область полупроводника n - типа приобретает отрицательный, а верхняя область - положительный потенциал. Таким образом, на выходе получается постоянное напряжение. Вследствие тепловой инерции твердого тела выходное напряжение имеет малый уровень пульсаций и, следовательно, отпадает необходимость в сглаживающих фильтрах и стабилизаторах. [29]

Изоляция обратносмещенным p - n - переходом реализуется с помощью создания изолированных и изолирующих областей. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5