Изолирующая область

Cтраница 3

КИД-структура. а - п. - р - л-транзистор. б - резистор в базовом слое. в - сжатый резистор. [31]

Отметим, что в КИД-процессе не требуется отдельных операций маскирования для формирования базовых и изолирующих областей. [32]

Ом-см), а элементы должны быть изолированными друг от друга, необходимы специальные изолирующие области. [33]

Для изоляции компонентов интегральных схем друг от друга используется высокое сопротивление обратно смещенного р-п-пере-хода или специально создаваемые изолирующие области. Соединяют компоненты токоведущими дорожками, напыляемыми на поверхность монокристалла. [34]

При реализации такой конструкции мультискана р-ге-пере-ходы каждой изолированной ячейки по большей части периметра контактируют со стенками изолирующих областей 2, покрытых окислом кремния, что обеспечивает самосовмещение диффузионных и изолирующих областей. [35]

Совершенствование технологии в дальнейшем было направлено на уменьшение площади компонентов и плотности их размещения и на уменьшение емкостей изолирующих областей. Почти на порядок меньшие значения емкостей изолирующих областей были достигнуты в схемах, созданных методом эпик-процесса [2], применением диэлектрической изоляции. Однако эпик-процесс не обеспечивал заметного увеличения плотности размещения компонентов и поэтому для создания схем памяти практически не использовался. [36]

Структуры узлов при щелевой изоляции.| Структура ИМС с металлизацией в изолирующих областях. [37]

Экономия площади кристалла и, следовательно, повышение плотности компоновки элементов ИМС достигаются за счет выполнения шины питания в изолирующей области в объеме кристалла, а не на поверхности, как это делается обычно. Шина питания имеет малое сопротивление и, что особенно важно, она надежно электрически изолирована как от подложки, так и от изолированных областей. [38]

Технологическая схема базовой изолирующей диффузии. а - эпитаксия кремния л-типа. 6 - базовая диффузия акцепторов с одновременной диффузией изолирующих участков р-типа вокруг базовых областей. в эмиттерная диффузия и создание коллекторных контактов. г - создание металлической разводки.| Сравнительные характеристики изоляции ИМС диффузией. [39]

Недостатком приборой, ( изданных Но этой технологии, явЛяеТ - Ся необходимость в дополнительном источнике питания для обратного смещения изолирующих областей. [40]

В эпитаксиалЬно - планарном транзисторе боковые поверхности / / изолирующего р-п перехода являются границей коллекторной области 2 n - типа и изолирующей области 4 р - типа, а нижняя поверхность 12 - - границей области 2 и скрытого слоя 3 с подложкой. При использовании микросхемы на этот контакт подают напряжение, при котором изолирующий переход всегда смещен в обратном направлении. Поскольку обратный ток изолирующего перехода мал, обеспечивается удовлетворительная изоляция транзистора от подложки и других элементов кристалла микросхемы. Области, окруженные со всех сторон изолирующим переходом, называют карманами. В них размещают не только биполярные транзисторы, но и другие элементы микросхемы. Обычно в каждом кармане формируют один элемент, но в некоторых случаях размещают несколько например, биполярных транзисторов, у которых согласно принципиальной электрической схеме соединены коллекторы. [41]

Планарно-эпитаксиальная технология производства биполярной ИС ( рис. 2.1) включает формирование скрытого л - слоя в подложке, наращивание эпитакси-ального слоя л-типа, формирование изолирующих областей Р - ТИПЗ, формирование базовой ( р) и эмиттерной () областей и, наконец, создание металлических пленочных внутрисхемных соединений. [42]

Главное достоинство изопланарного транзистора по сравнению с эпитаксиально-планарным ( см. рис. 3.1) состоит в том, что при одинаковой площади эмиттерных переходов общая площадь изопланарного транзистора ( с учетом площади изолирующих областей) меньше почти на порядок. [44]

Логические элементы И - НЕ, ИЛИ - НЕ на основе КМДП-структур изображены на рис. 3.11, б, в, В отличие от логических элементов на однородных вентилях, КМДП-структуры требуют создания дополнительной изолирующей области ( рис. 3.11, в), сами логические элементы содержат большее число вентилей. В связи с этим плотность размещения логических элементов на кристалле для КМДП-микросхем заметно ниже, чем для однородных МДП-схем. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5