Изолирующая область

Cтраница 4

Общий критерий качества задачи компоновки БИС, при котором минимизируется площадь кристалла, оказывается равным отношению суммарной площади элементов во всех изолированных областях БИС к площади кристалла и учитывает уменьшение используемой площади БИС из-за потерь на площадях изолированных областей, а также из-за наличия изолирующей области и закраины. [46]

Вторая причина - в потере симметрии между металлическими и неметаллическими областями: если для структур на рис. 8.1, а и 8.1, б можно считать, что области между каплями имеют тот же порядок величины, что и сами капли, то на рис. 8.1, г изолирующие области явно гораздо уже металлических. При этом, однако, они продолжают успешно справляться со своими изолирующими функциями. [47]

Еще один метод изоляции заключается в использовании высокое мной подложки, например с р 100 Ом - см. Этот метод применяется для высокочастотных микросхем, когда сопротивление самой подложки, включенное последовательно с компонентами, дает достаточную изоляцию. Поверхностное сопротивление изолирующей области обычно достигает 1000 Ом / квадрат. Частотные характеристики интегральной микросхемы с такой изоляцией компонентов улучшаются, так как отсутствует изолирующий переход. [48]

Из таблицы видно, что в КИД-структуре применяется тонкий эпитаксиальный слой. Этим определяются малые размеры изолирующих областей. [49]

Структура БТ с комбиниро ванной изоляцией. [50]

Эти конструктивные особенности, вытекающие из способа изоляции БТ, обусловливают его преимущества по сравнению с БТ с изоляцией p - n - переходом, так как размеры изопланарного БТ и других интегральных элементов оказываются значительно меньшими. Дело в том, что диффузионные изолирующие области и база БТ формируются с помощью различных фотошаблонов. [51]

Преимущество схем И2Л - типа-в топологии их базового вентиля, в которой отсутствуют нагрузочные резисторы, имеющиеся, например, в схемах ТТЛ-типа. В схеме И2Л - типа отсутствуют изолирующие области, из-за чего резко снижаются размеры компонентов, паразитные составляющие компонентов и увеличивается быстродействие, которое, в свою очередь, может изменяться в широких пределах в зависимости от выбора тока инжектора. [52]

Структура транзистора эпитаксиально. [53]

Эпитамеиально - пЛ а нарная структура ( рис. 1.2, а) позволяет найти компромиссное решение. Здесь область коллектора, а также изолирующие области других элементов формируются путем э п и т а к с и и ( осаждения слоя монокристаллического равномерно легированного кремния / г-типа на подложку р-типа) и последующей изолирующей диффузии примеси р - типа. Последняя приводит к образованию изолированных областей, внутри которых диффузионным путем создаются элементы. [54]

Совершенствование технологии в дальнейшем было направлено на уменьшение площади компонентов и плотности их размещения и на уменьшение емкостей изолирующих областей. Почти на порядок меньшие значения емкостей изолирующих областей были достигнуты в схемах, созданных методом эпик-процесса [2], применением диэлектрической изоляции. Однако эпик-процесс не обеспечивал заметного увеличения плотности размещения компонентов и поэтому для создания схем памяти практически не использовался. [55]

Пример функционального прибора. [56]

На рис. 13 - 30, б показан функциональный прибор, выполняющий функцию выпрямителя. Он состоит из резистивной области 1, тонкой изолирующей области 2 и термоэлектронной области 3, выполненной из полупроводника л-типа. Принцип работы этого прибора состоит в следующем. [57]

Специфика обусловлена конструкцией транзисторов, меньшими размерами, наличием изолирующих областей, малыми рабочими токами и напряжениями. [58]

В окисле кремния, покрывающем кристалл кремния р-типа, методам точного фототравления ( м икр о фотолитографии) вскрывают окна, через которые путем д и ф ф у з и и осуществляется внедрение атомов примеси-донора. Таким образом одновременно создаются коллекторные области всех транзисторов, а также изолирующие области всех диодов, резисторов и конденсаторов. [59]

Последовательность создания БТ по модифицированному методу локальной гомоэпитаксии.| Последовательность создания ВТ по методу локальной гомоэпитаксии. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5