Обработка - поверхность - подложка
Cтраница 1
Обработка поверхности подложки имеет целью обеспечить хорошую адгезию слоя фоторезиста к подложке. Фоторезисты наносят на поверхность кремния, поликристаллического кремния, диоксида кремния, примесно-силикатных стекол, нитрида кремния, различных металлических слоев. [1]
Степень обработки поверхности подложки оказывает влияние на величину адгезии. Как правило, на шероховатой поверхности адгезия лучше, чем па хорошо отполированной. [2]
Качество обработки поверхности подложки также влияет на скорость роста пленки: чем выше класс точности обработки поверхности, тем медленнее растет пленка при фиксированной температуре. [3]
 |
Градуировочный график зави. [4] |
При чистоте обработки поверхности подложки ниже 5-го класса необходимо проводить специальную тарировку прибора. [5]
Формирование слоя фоторезиста: обработка поверхности подложек; нанесение и первая сушка слоя фоторезиста. [6]
Авторы работы [9] также считают, что обработка поверхности подложки кристаллизации является решающим фактором при получении монокристаллических слоев кремния. [7]
При температуре выше 1100 С от качества обработки поверхности подложки зависит монокристалличность пленки. Необходимым условием получения монокристаллических пленок является удаление с поверхности окисных пленок. Действительно, если сильно окислить подложку, а затем протравить в окисном слое окна и провести процесс наращивания эпитаксиальной пленки, то на окисленной поверхности образуется поликристаллический слой, а в окнах блестящее монокристаллическое покрытие. [8]
Получение однородных образцов с минимальным самопоглощением зависит от химического способа приготовления источника, способа обработки поверхности подложки ( пленки) и метода нанесения. [9]
На качество монтажа ИС с полужесткими выводами влияет раз-новысотность контактных площадок, материал и класс обработки поверхности подложки, число выводов ИС. Допустимая разновысотность контактных площадок около 5 мкм, поэтому контактные площадки, полученные трафаретной печатью, требуют применения методов выравнивания. [10]
Рассмотренный метод может быть использован также для сварки, травления, плавки, полимеризации или диссоциации пленок и для обработки поверхности подложки. [11]
Состояния, расположенные на границе раздела кремний - двуокись кремния, менее чувствительны к воздействию окружающей среды и зависят от качества обработки поверхности подложки и процесса выращивания окисла. Таким образом, любые несовершенства, возникающие при химической обработке поверхности полупроводникового материала, влияют на плотность поверхностных состояний. [12]
 |
Зависимость скорости роста пленки. а - от скорости потока водорода ( W. б - от концентрации SiCl4 в водороде ( N. [13] |
На скорость восстановления четыреххлористого кремния ( SiQ4) водородом влияют следующие факторы: концентрация, скорость потока водорода, температура подложки, время обработки поверхности подложки. [14]
Но вследствие особенностей униполярных транзисторов необходимо учитывать следующие ограничения: а) в отличие от биполярных приборов, в которых процессы усиления происходят в объеме материала, принцип работы униполярных транзисторов предполагает знание и освоение технологии обработки поверхности подложки и тонких слоев диэлектрика; б) из-за большого входного импеданса для униполярных транзисторов представляют большую опасность статические электрические заряды, которые приводят к пробою диэлектрика затвора ( включение специальных диодов хотя несколько и снижает эту опасность, но приводит к возрастанию входной емкости); в) большой выходной импеданс ограничивает нагрузочные способности и быстродействие; г) поскольку сопротивление униполярного транзистора как нагрузки не должно быть чрезмерно большим, чтобы существенно не снижать быстродействие, необходимо на затвор транзистора нагрузки подавать напряжение значительно большее напряжения питания схемы, а это, как правило, приводит к необходимости использования двух различных источников питания. [15]
Страницы: 1 2