Отжиг - пленка
Cтраница 1
Отжиг пленок производится в вакуумных установках непосредственно после напыления при температуре подложек, несколько превышающей температуру подложек при напылении. Это делается для упорядочения структуры и уменьшения внутренних механических напряжений пленок с целью повышения их стабильности и улучшения адгезии к подложкам. При этом сопротивление резистивных и проводящих пленок снижается. [1]
Отжиг пленок п - Bi2TeMSe0 6 при температурах 350 - 400 С не приводит к улучшению их электрических характеристик: подвижность носителей в пленках, а также концентрация электронов снижаются. [2]
Отжиг пленок п - Bi2Te2j4Seo 6 при температурах 350 - 400 С не приводит к улучшению их электрических характеристик: подвижность носителей в пленках, а также концентрация электронов снижаются. [3]
Отжиг пленок CdS увеличивает долю гексагональной модификации, тогда как отжиг пленок CdSe повышает в пленке содержание кубической фазы. [4]
Отжиг пленок аморфного углерода с различным ближним порядком приводит к кристаллизации углерода в различные аллотропные состояния: углерод с гранецентрированной кубической решеткой, графит, алмаз, карбин. [5]
При отжиге пленок, приводящем к уменьшению концентрации дефектов кристаллической решетки и разупрочнению, происходит изменение механизма разрушения от диффузионного к сублимационному, наблюдаемому для массивных металлов. [6]
При отжиге пленок иодида меди в вакууме происходит испарение иода и, как показали электронографические исследования Р. Н. Курдюмовой и С. А. Семилетова [267], избыточные атомы меди располагаются при этом в октаэдрических пустотах, образуя твердый раствор внедрения. Растворимость избыточной меди в иодиде меди доходит до нескольких процентов. [7]
Действительно, отжиг пленок приводит к росту Q0 и U0 до значений, близких к соответствующим характеристикам массивных металлов. [8]
Описана камера для отжига пленки. Детально рассматривается устройство для получения прозрачной рукавной пленки. [9]
Отсутствие эффекта при отжиге пленок в аргоне свидетельствует о термической стабильности дефектов. [10]
По данным [171, 172, 174, 175], отжиг пленок Bi2Te3 и твердых растворов ( Bi, Sb) 2Te3 и Bi2 ( Te, Se) 3 в атмосфере аргона при давлении порядка 0 1 Па и температуре 350 - 400 С ( обычна длительность отжига составляла 30 мин) приводит к дальнейшему совершенствованию структуры. [11]
 |
Изменение удельной маг - ст Р ннем Давлении до 7000 кГЦм на. [12] |
По данным [93] при отжиге пленки соединения InTe в высоком вакууме при температурах 160 происходит частичная диссоциация соединения с потерей теллура и увеличение толщины пленки вследствие образования слоя новой фазы. При температурах отжига 310 и выше начинается заметное уменьшение толщины пленки, обусловленное сублимацией этой новой фазы. [13]
Ориентация пленки может быть измерена посредством отжига пленки при температуре ниже температуры плавления. Ориентированные пленки имеют большую усадку, чем прочие. Усадка часто определяется частичным сшиванием материала пленки. Термоусадочные и стрейч-пленки находят множество применений в пищевой промышленности. [14]
Дисперсионный способ может быть применен также для рекри-сталлизационного отжига пленок различных полупроводниковых соединений [414], если их подвергнуть периодическим колебаниям температуры. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5