Отжиг - пленка
Cтраница 3
Снижение подвижности объясняется как дополнительным рассеянием носителей на дефектах в менее совершенной структуре пленок на аморфной подложке, так и отклонением ориентации зерен от оптимальной, при которой базисная плоскость параллельна подложке. Отжиг пленок р - Bi05Sb15Te3 ( условия отжига указаны выше) повышает подвижность до значений 340 - 350 см2 / ( В-с) [172] за счет уменьшения влияния этих факторов. [31]
Снижение подвижности объясняется как дополнительным рассеянием носителей на дефектах в менее совершенной структуре пленок на аморфной подложке, так и отклонением ориентации зерен от оптимальной, при которой базисная плоскость параллельна подложке. Отжиг пленок р - Bi0j5Sblj5Te3 ( условия отжига указаны выше) повышает подвижность до значений 340 - 350 см2 / ( В-с) [172] за счет уменьшения влияния этих факторов. [32]
 |
Длительная прочность ( а, б и энергия активации разрушения ( в, г пленок никеля ( а, г имели ( б, в в упрочненном (. и отожженном состояниях ( 2. [33] |
Приведенные данные свидетельствуют, что в исходном ( высокопрочном) состоянии значения t / 0 ( Q) в 2 раза меньше соответствующих параметров для массивных металлов. Отжиг пленок, снижая их прочность, приводит к увеличению параметров у ( 0) и С / 0 ( О0) до значений, близких к характеристикам массивных равновесных металлов. [34]
Отжиг пленок м-типа не приводит к изменению типа проводимости, однако благодаря увеличению размеров зерен подвижность носителей возрастает. [35]
Установлено, что состав пленок 4 - 0 45 мкм, 5 - 0 6 мкм. Отжиг пленок сульфида меди в водороде приводит к повышению удельного сопротивления и улучшению стехиометрии, в то время как отжиг в кислороде дает противоположный эффект. Диффузионная длина неосновных носителей в пленках Cu2S, получаемых различными методами, лежит в пределах от 0 05 до 0 5 мкм. [36]
По-видимому, при этом образуются кластеры ограниченного размера, упорядоченные в отношении структуры обеих фаз. При отжиге пленки коалесценция одинаковых кластеров происходит путем относительно быстрой поверхностной диффузии и миграции по границам зерен и путем относительно медленной объемной диффузии. Хотя объемная диффузия, несомненно, протекает значительно медленнее, чем поверхностная или по границам зерен, ее влиянием все же нельзя пренебрегать, так как в конце отжига, на окончательной стадии установления равновесия, когда каждая частица пленки имеет двухфазную структуру, объемная диффузия может играть доминирующую роль. Следствием этого обычно является относительная длительность последней стадии достижения равновесного состава. Однако, если напыление проводится при высокой температуре подложки, подвижность атомов значительно больше и две отдельные фазы могут расти непосредственно из зародышей, хотя для образования правильной морфологии пленки ( например, частиц двухфазной структуры) необходима еще значительная объемная диффузия. [37]
Известно, что некристаллические пленки кремния и германия имеют плотность на 3 - 15 % ниже плотности кристаллов [ 12, с. При отжиге пленок вплоть до кристаллизации значительно уменьшается их пористость, плотность свободных спинов, внутренних напряжений, диамагнитной восприимчивости - происходит превращение вариационно-дисперсного БП в безвариационный БП, превращение полуразупроч-ненной ультрадисперсной разновидности твердого вещества в упорядоченную кристаллическую. [38]
 |
Кинетика растворения стекол системы As - Se в 33 % - ном радтворе КОН. 1 - As2Se2 5. 2 - As2Se2 8. 3 - As2Se3. 4 - As2Se32. 5 - As2Se3 5. [39] |
При облучении свежеосажденных пленок энергия активации растворения возрастает от 38 4 до 59 7 кДж / моль. При отжиге пленок вблизи температуры стеклования в результате стабилизации структуры энергия активации растворения достигает 71 6 кДж / моль. Кроме того, при фото - и термовоздействии изменяется и предэкспоненциальный множитель в уравнении Аррениуса. Согласно [102], этот множитель характеризует поверхностную концентрацию химически активных центров, а энергия активации растворения ковал ентно - у вязанных твердых тел отражает степень прочности химических связей. [40]
Предельная температура отжига пленок п - Bii sSbo sTes несколько выше, чем для пленок р - Bi05Sbb5Te3 и составляет 325 С. Отжиг на воздухе при ГОТж - 275 С в течение 50 ч не приводит к заметному изменению свойств пленок. При увеличении температуры отжига до Т т 300 С и выше заметно увеличивается концентрация носителей заряда за счет донорного легирования кислородом. Показано, что характер изменения подвижности их зависит от структуры пленки. Так, для совершенных пленок на слюде после отжига в течение 10 ч при Ттж - 300 С наблюдается увеличение подвижности в 1 2 - 1 3 раза. В то же время для поликристаллических пленок на аморфной подложке после такого же отжига подвижность уменьшается. После отжига при более высокой температуре ГОТж - 325 С подвижность уменьшается и в совершенных пленках. Такой характер изменения подвижности может быть связан с двумя механизмами воздействия кислорода. Это в свою очередь должно увеличивать их подвижность. Кроме того, так же как и в пленках р - Bi05Sbb5Te3, на границах блоков может происходить интенсивное окисление, приводящее к образованию высокобмных прослоек. Второй механизм усиливается по мере увеличения диффузии кислорода либо за счет дефектности структуры, либо за счет роста температуры обжига. [41]
Предельная температура отжига пленок п - Bii sSbo sTes несколько выше, чем для пленок р - Bi0 5Sbb5Te3 и составляет 325 С. Отжиг на воздухе при ГОТж 275 С в течение 50 ч не приводит к заметному изменению свойств пленок. При увеличении температуры отжига до Ттт 300 С и выше заметно увеличивается концентрация носителей заряда за счет донорного легирования кислородом. Показано, что характер изменения подвижности их зависит от структуры пленки. С наблюдается увеличение подвижности в 1 2 - 1 3 раза. В то же время для поликристаллических пленок на аморфной подложке после такого же отжига подвижность уменьшается. После отжига при более высокой температуре Тотт 325 С подвижность уменьшается и в совершенных пленках. Такой характер изменения подвижности может быть связан с двумя механизмами воздействия кислорода. Это в свою очередь должно увеличивать их подвижность. Кроме того, так же как и в пленках р - Bi0j5Sblj5Te3, на границах блоков может происходить интенсивное окисление, приводящее к образованию высокоОмных прослоек. Второй механизм усиливается по мере увеличения диффузии кислорода либо за счет дефектности структуры, либо за счет роста температуры обжига. [42]
 |
Режим отжига медно-серебря-ных сплавов различных композиций. [43] |
На рис. 29 показан режим отжига пленки из чистого серебра в сравнении с серебряными пленками, содержащими 12 и 50 % меди соответственно. [44]
Для подавления твердых ЦМД ( см. § 1.10) принимают специальные технологические меры, направленные на создание определенной структуры доменной стенки: ионное внедрение или покрытие поверхности пленки феррита-граната тонкой пленкой пермаллоя. Наиболее простым способом подавления твердых ЦМД является отжиг пленок в инертной среде при 1100 С. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5