Отжиг - пленка
Cтраница 4
На рис. 2 - 7 представлена зависимость относительного термического сопротивления AR / AR клеевых прослоек и пленок из ПС от температуры отжига, из которой видно, что термическое сопротивление клеевых прослоек и полимерных пленок с увеличением температуры отжига падает, причем кривые AR lAR f ( T) в обоих случаях для одинаковых температур вытяжки пленки и отверждения прослойки коррелируют. Это указывает на одинаковую природу дезориентации структурных элементов при отжиге пленок и прослоек. С увеличением температуры вытяжки пленки и отверждения прослойки спад термического сопротивления при отжиге реализуется при более высоких температурах. При значительных температурах отжига во всех рассматриваемых случаях AR / hR может практически равняться нулю, причем такое состояние образцов может наступить без вязкого течения. [47]
Качество пленки зависит от концентрации реагентов - атомного отношения Pb: S в исходных веществах, а также от температуры реакции. Вследствие окисления поверхности пленки меняется ее проводимость и поэтому необходимо проводить отжиг пленки, обеспечивающий ее стабильность. Стеклянные подложки ( можно применять предметные стекла) должны быть тщательно очищены, обезжирены погружением на 1 - 2 мин в 10 % - ный раствор щелочи, промыты дистиллированной водой и высушены над электрической плиткой или в сушильном шкафу. [48]
Для уменьшения паразитного теп-лопереноса диэлектрические подложки должны иметь возможно меньшую толщину и низкую удельную теплопроводность. Подложки должны выдерживать нагрев до 350 - 400 С, чтобы обеспечить оптимальную температуру конденсации и отжига пленок AIVByl и AVBVI ( см. гл. Кроме того, особенно при создании компактных термобатарей подложки должны обладать высокой эластичностью и прочностью. [49]
Для уменьшения паразитного теп-лопереноса диэлектрические подложки должны иметь возможно меньшую толщину и низкую удельную теплопроводность. Подложки должны выдерживать нагрев до 350 - 400 С, чтобы обеспечить оптимальную температуру конденсации и отжига пленок AIVByl и AVBVI ( см. гл. Кроме того, особенно при создании компактных термобатарей подложки должны обладать высокой эластичностью и прочностью. [50]
Не следует забывать, что толщина пленки обычно составляет 100 - 200 нм и что размер кристаллитов поликристаллической пленки имеет тот же порядок или меньше. Данные табл. 3 показывают, что серьезные затруднения при гомогенизации сплава могут возникнуть только для системы Pd-Си ( среди приведенных сплавов), если отжиг пленки проводить в указанных условиях. Этот вывод подтверждается экспериментальными данными, которые рассмотрены ниже для индивидуальных систем. [51]
 |
Спектральные характеристики пропускания Т пленок As2Se3 ( - 0 и. [52] |
На рис. 146 приведены типичные изменения спектра пропускания пленки халькогенидного стекла, подвергнутой облучению и отжигу. Облучение смещает кривую пропускания Т ( К) свежей пленки в длинноволновую область ( кривая 2), одновременно изменяются положения максимумов интерференции. Отжиг пленки вблизи Tg вызывает обратный сдвиг ( 3), не достигающий первоначального положения. [53]
Они усиливаются при дальнейшем нагреве подложки и при tK 700 С вторая текстура уже преобладает над первой. При температурах выше 750 С пленка становится пористой и имеет грубую поверхность, а степень ориентировки уменьшается. Отжиг пленок в течение 15 мин при температуре осаждения не улучшает их структуру. Максимальную степень ориентировки имеют пленки, выращенные при tK 625 С и VK 30 - 435 А. [54]
После электрохимического осаждения производят термическую обработку цилиндрической пленки в трубчатой печи, в которой поддерживают инертную или разряженную атмосферу. Кинетику процессов старения и стабилизации магнитных свойств пермаллоевых пленок объясняют с позиций изменения кристаллической структуры и концентрации дефектов. Температура отжига пленок, осажденных на медном подслое, ограничена процессом рекристаллизации меди и не должна превышать 400 С. При непродолжительном отжиге диффузия меди в пленку Ni-Fe незначительна, при длительном отжиге возрастает коэрцитивная сила Нс пленки за счет диффузии меди и роста зерен. [55]
Более низкие температуры растекания могут быть получены при более высоких концентрациях легирующих добавок и в атмосфере водяного пара. Однако увеличение концентрации фосфора более 5 весовых % не повышает больше растекающую способность пленок БФСС, тогда как избыток бора приводит к высокой гигроскопичности и нестабильности пленок. После отжига пленки БФСС с общей концентрацией легирующих добавок больше 11 весовых % или с концентрацией бора больше 6 весовых % имеют тенденцию к образованию кристаллов ВРО4на поверхности. [56]
Следует отметить, что на свойства наполненных пленок значительное влияние оказывает отжиг. Температура стеклования поли-стирольных пленок, прогретых до 100 С, не изменяется с введением наполнителя, но при этом снижается температура перехода в вязкотекучее состояние. Для ненаполненного полистирола отжиг пленок не приводит к изменению температуры стеклования. [57]
 |
Зависимость толщины непроводящего слоя от времени отжига при. [58] |
Для подтверждения определяющей роли кислорода в изменении электрофизических свойств пленок р - В1058Ь15Те3 при отжиге их на воздухе, при тех же температурах был выполнен отжиг толстых пленок в чистом кислороде. Характер изменения электрофизических свойств пленок после отжига в кислороде оказался таким же, как и при отжиге на воздухе, с той только разницей, что увеличение сопртивления пленок при отжиге в кислороде происходило более интенсивно. Величина йокисл после отжига в кислороде оказалась примерно в 3 раза выше, чем после отжига пленок на воздухе. На основании этих результатов в пленках р - Bio 5Sbi5Te3 были оценены коэффициент диффузии кислорода Z), энергия активации й акт, а также критическая концентрация - / VK. P, при которой окисные прослойки практически полностью обволакивают границы блоков, препятствуя тем самым прохождению по ним тока. [59]
 |
Зависимость толщины непроводящего слоя от времени отжига при Готж - 325 ( 7, 315 ( 2, 2 % 300 ( 3, 3, 200 С ( 5, 5 для bj Teg ( 1 и Р. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5