Отжиг - пленка
Cтраница 2
 |
Профили распределения примесей по толщине кремниевой пленки, осажденной на сапфира. [16] |
Легирование пленок из подложки особенно наглядно выявляется при отжиге пленок с - проводимостью, легированных фосфором. [17]
Отжиг пленок CdS увеличивает долю гексагональной модификации, тогда как отжиг пленок CdSe повышает в пленке содержание кубической фазы. [18]
 |
Возможная конфигурация пленочного резистора. / - металлические электроды. 2 - резистивная пленка. 3. [19] |
После осаждения пленки нихрома на диэлектрическую подложку производят термообработку путем отжига пленки на воздухе. При этом нихромовая пленка покрывается слоем оксида, который значительно улучшает стабильность пленочного резистора. [20]
После осаждения пленки нихрома на диэлектрическую подложку производят термообработку путем отжига пленки на воздухе. При этом нихромовая пленка покрывается слоем окисла, который значительно улучшает стабильность пленочного резистора. [21]
После осаждения пленки нихрома на диэлектрическую подложку производят термообработку путем отжига пленки на воздухе При этом нихромовая пленка покрывается слоем оксида, который значительно улучшает стабильность пленочного резистора. [22]
 |
Структура солнечного элемента. [23] |
Однако было найдено, что эти нежелательные изменения можно устранить отжигом поставляемой пленки в вакууме. [24]
 |
Содержание меди в исходном порошке и пленках. [25] |
Анализ показал, что содержание меди в фотопроводящих ( отожженных) пленках CdS примерно в 6 раз меньше, чем в исходном веществе, причем уменьшение содержания меди происходит как в процессе испарения исходного материала, так и в процессе отжига пленок. [26]
 |
Зависимости напряжений первого рода в пленках Bi0l5Sbi 5Te3 гурах отжига 550 ( 7, 560 ( 2 и 570 К ( 3 [ 183. [27] |
Нагрев и последующее охлаждение ( верхняя кривая на рис. 2.26) пленок со скоростью 30 в час, достаточно медленной, для того чтобы при температурах, превышающих температуру конденсации, происходила эффективная релаксация напряжений, приводили к возрастанию термических напряжений при комнатной температуре до 3 кбар [183], По данным [184], отжигом пленок в аргоне при температуре 380 С удавалось повысить термическое напряжение до 5 - 5 5 кбар. Эти деформации лежат, очевидно, за пределом упругости для рассматриваем мых объемных кристаллов. Отсутствие релаксации термических напряжений в пленках при температурах ниже 330 С говорит о том, что предел упругости тонкой пленки Bi0j5Sblj5Te3, жестко связанной с подложкой, может быть значительно большим. [28]
Нагрев и последующее охлаждение ( верхняя кривая на рис. 2.26) пленок со скоростью 30 в час, достаточно медленной, для того чтобы при температурах, превышающих температуру конденсации, происходила эффективная релаксация напряжений, приводили к возрастанию термических напряжений при комнатной температуре до 3 кбар [183], По данным [ 184, отжигом пленок в аргоне при температуре 380 С удавалось довысить термическое напряжение до 5 - 5 5 кбар. Эти деформации лежат, очевидно, за пред ел ом упругости для рассматриваемых объемных кристаллов. Отсутствие релаксации термических напряжений в пленках при температурах ниже 330 С говорит о том, что предел упругости тонкой пленки Bi05Sbb5Te3, жестко связанной с подложкой, может быть значительно большим. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5