Переход - транзистор
Cтраница 1
Переход транзистора в режим насыщения возможен, если приращение тока базы за счет положительной обратной связи больше, чем начальное приращение. [1]
Переход транзистора из открытого состояния в закрытое осуществляется почти мгновенно, так что энергия, запасенная в магнитном поле трансформатора, не успевает измениться, затем она начинает уменьшаться. По закону самоиндукции ЭДС в базовой и коллекторной обмотках меняет полярность на противоположную, чтобы воспрепятствовать уменьшению магнитного поля. [2]
 |
Принципиальная электрическая схема устройства УСНТ-4. [3] |
Переход транзистора Т5 в закрытое состояние обеспечивает подачу напряжения на управляющие электроды тиристоров в соответствии с появлением положительной полуволны синусоидального напряжения питающей сети на аноде каждого из тиристоров. Поочередно включаясь, тиристоры шунтируют цепочку СО-RO или сопротивление R13, в результате чего на первичную обмотку сварочного трансформатора подается полное напряжение сети. [4]
Переход транзистора из одного состояния в другое осуществляется сигналами, поступающими извне в цепь базы. Время перехода из одного состояния в другое ( время переключения) порядка микросекунд; время нахождения транзистора в состояниях отперт и заперт может быть любым. [5]
Переход транзистора из состояния заперт в состояние отперт и обратно происходит скачкообразно, но не мгновенно, что вызывается переходными процессами в транзисторе, длительность которых тем больше, чем ниже граничная ( предельная) частота коэффициента передачи тока транзистора. Вследствие влияния этих процессов форма выходного сигнала в большей или меньшей степени отличается от формы входного управляющего сигнала. [6]
Переход индукционного транзистора в область глубокого насыщения приводит к очень низким остаточным напряжениям. [7]
 |
Динамический режим работы транзистора в схеме с ОЭ. [8] |
Скорость перехода транзистора из открытого состояния в закрытое и обратно главным образом зависит от переходных процессов в базе, связанных с накоплением и рассасыванием неравновесных зарядов. На вход транзистора подается управляющий сигнал в виде скачков напряжения, замыкающих и размыкающих транзисторный ключ. [9]
 |
Эквивалентные схемы ключа в режиме насыщения. [10] |
После перехода транзистора в насыщение дальнейшее увеличение тока базы незначительно увеличивает напряжение иб. [11]
 |
Временные диаграммы напряжений и токов при переключении транзистора в ключе. [12] |
После перехода транзистора в режим насыщения в базе продолжается процесс накопления теперь уже избыточных носителей, так как / б1 / бнас, и коллекторный переход не в состоянии отводить в цепь коллектора накапливаемый избыточный заряд. [13]
 |
Схема генераторной установки с регулятором напряжения. [14] |
Для перехода транзистора из закрытого в открытое состояние в цепи эмиттер-база должен появиться ток, протекающий в транзисторе типа PNP от эмиттера к базе, а типа NPN - от базы к эмиттеру. Если переход эмиттер-база смещен в обратном направлении, то транзистор закрыт. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5