Переход - транзистор
Cтраница 2
Взаимодействие переходов транзистора учитывается четырьмя генераторами тока. Генератор тока a / j, включенный параллельно диоду VD2, учитывает передачу тока из эмиттера в коллектор, а генератор тока ап / / 3 - из подложки в коллектор. [16]
Геометрия переходов транзистора не так проста, как это показано на фиг, 3 - 6, но этот вопрос и способы создания переходов широко разбираются в литературе и здесь рассматриваться не будут. [17]
 |
Распределение инжектированных дырок в базе транзистора. [18] |
Сопротивление переходов транзистора при нормальной работе выше, чем сопротивление объема, поэтому напряжение батареи смещения оказывается приложенным главным образом к переходам и электрическое поле в базе транзистора невелико. [19]
 |
Схемы блокинг-генераторов. [20] |
Процесс перехода транзистора из за -: пертого состояния в открытое протекает лавинообразно и заканчивается глубоким насыщением транзистора. Затем некоторое время транзистор находится в открытом состоянии, так как ток базы не может прекратиться мгновенно из-за самоиндукции вторичной обмотки трансформатора. В это время конденсатор С1 через открытый диод эмиттерно-базового перехода заряжается, и напряжение На нем снова становится положительным. [21]
Температура переходов транзистора не должна превышать предельно допустимой. Для повышения надежности транзистора температура переходов должна быть по возможности низкой по сравнению с предельно допустимой. Тепловой расчет каскада заключается в определении типа усилительного прибора и условий его охлаждения, обеспечивающих при заданной рассеиваемой мощности температуру переходов не выше допустимой. [22]
После перехода транзисторов в режим насыщения начинается процесс формирования выходного импульса мультивибратора. При этом оба транзистора насыщены. [23]
После перехода транзистора в режим насыщения начинается стадия накопления избыточных носителей. [24]
С переходом транзистора в режим насыщения цепь обратной связи размыкается. Длительность фронта приблизительно равна t ( 4ч - 5) тр. [25]
С переходом транзистора VT1 в открытое состояние, а транзисторов VT2 и VT3 в закрытое, конденсатор С1 получает возможность разрядиться. На переходе база-эмиттер VTI по цепи R4 - CJ возникает дополнительный импульс силы тока, сокращающий время перехода транзистора VT1 в открытое состояние и, следовательно, снижающий потери мощности в транзисторе при его переключении. [26]
С переходом транзистора VTI в открытое состояние, а транзисторов VT2 и VT3 в закрытое конденсатор С1 получает возможность разрядиться. [27]
При переходе транзистора в активный режим происходит окончательное рассасывание неравновесного заряда через коллекторный переход. [28]
При переходе транзистора в активный режим происходит окончательное рассасывание неравновесного заряда через коллекторный переход. Выходная емкость транзистора заряжается, а ток коллектора уменьшается по экспоненциальному закону и после определенного времени, называемого временем спада tc ( см. рис. 16.39, г), принимает исходное значение / ко. [29]
При переходе транзистора из насыщенного в закрытое состояние появляется еще одна задержка, связанная с тем, что в режиме насыщения коллектор не успевает собирать все дырки, инъектируемые эмиттером. Вследствие этого концентрация дырок резко возрастает и ограничивается только рекомбинацией. В частности, в режиме насыщения имеется значительная концентрация дырок в базе и вблизи коллектора. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5