Переход - транзистор
Cтраница 4
 |
Измерение амплитуды импульсов с помощью прибора Ц20.| Измерение прямого ( а и обратного ( б сопротивления диодов. [46] |
Каждый из переходов транзистора является аналогом обычного диода. [47]
Допустимая температура переходов транзистора идои - температура, превышение которой приводит к - - разрушению полупроводниковой е структуры транзистора и выходу его из строя. С ростом температуры / пдоп возрастает ток, протекающий через переходы, и увеличивается возможность их теплового пробоя. Допустимую температуру переходов указывают в справочниках. [48]
Если оба перехода транзистора смещены в обратном направлении, то через них могут проходить обратные неуправляемые токи. При этом в коллекторной цепи протекает ток IK Ля а в базовой - ток / 6 - / о - Напряжение на коллекторе ( Лгэ. Следовательно, транзистор в области отсечки III представляет собой разомкнутый ключ. [49]
Если к переходам транзистора приложено напряжение в прямом направлении, то величина внутреннего сопротивления его минимальна, и ток проходит через транзистор. [50]
На эмнттериом переходе транзистора Tf появляется запирающее напряжение. [51]
Эмит-терный и коллекторный переходы транзистора смещены в обратном направлении. Обратный ток эмиттерного перехода, площадь которого очень мала, не учитывают. [52]
 |
Логический элемент 2И - НЕ ТТЛ со сложным инвертором. [53] |
В, то эмитгерные переходы транзистора VT1 будут закрыты. Транзистор VT1 работает в активном режиме, инверсном включении. [54]
 |
Устройство защитного отключения АЗШ. [55] |
При этом через базоэмиттерный переход транзистора VT2 проходит импульсный ток, который периодически открывает и закрывает транзистор. При открытом триоде VT2 происходит заряд конденсатора С7 через диод VD2, который шунтирует обмотку реле К. [56]
 |
Схема кристаллического диода.| Конструкция транзисто. [57] |
На один из переходов транзистора, показанного на рис. 22.16, подано прямое смещение, а на другой - обратное. Центральная область, называемая базой, очень тонкая ( порядка 0 02 мм), так что значительное число дырок может диффундировать через нее без соударения с электронами. Другую р-область называют коллектором, так как она собирает дырки. [58]
Под обратными токами переходов транзистора понимают значения токов через какой-либо из переходов, находящихся при обратном напряжении, в то время как ток в одном из двух оставшихся свободными выводов равен нулю. Так обратный ток коллектора транзистора в схеме с общей базой / КБО определяется при токе эмиттера, равном нулю, а обратный ток эмиттера для той же схемы / ЭБО - при токе коллектора, равном нулю. [59]
Определение барьерных емкостей переходов транзистора в принципе ничем не отличается от расчетов, приведенных в § 1.10. При расчете барьерной емкости коллектора часто можно пренебрегать контактной разностью потенциалов, учитывая, что постоянное напряжение на коллекторе довольно велико. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5