Переход - транзистор
Cтраница 5
Определение барьерных емкостей переходов транзистора в принципе ничем не отличается от расчетов, приведенных в § 2.8. При расчете барьерной емкости коллектора часто можно пренебречь контактной разностью потенциалов, учитывая, что постоянное напряжение на коллекторе довольно велико. [61]
Повышение температуры р-п перехода транзистора зависит не только от температуры окружающей среды, но и от внутреннего нагрева самого транзистора, обусловленного мощностью потерь в нем. Высокая температура транзистора в значительной степени изменяет его параметры. При росте температуры повышается концентрация неосновных носителей. Чем выше температура, тем больше образуется пар электрон - дырка и тем выше концентрация неосновных носителей. Так как на движение неосновных носителей поле р-п переходов оказывает ускоряющее действие, то увеличиваются обратные токи через эти переходы. У кремниевых транзисторов обратный ток коллектора при повышении температуры на 10 С может возрасти в 2 5 раза. Значительно ( в несколько раз) меняется коэффициент усиления по току р при изменении температуры транзистора в диапазоне рабочих температур. В соответствии с изменением параметров транзистора, обусловленным изменением температуры, меняются его входные и выходные характеристики. [62]
 |
Временные зависимо - в базе iK - , а не коллекторной на-сти. б ( т / Тт и ( т fT. [63] |
В момент т2 перехода транзистора из насыщения в отсечку ( рис. 14) ток коллектора ( заряд в базе) должен меняться скачком до нуля. Однако из-за инерционности транзистора заряд 7б ( т) меняется с некото-1 рым фронтом та. [64]
При этом оба перехода транзистора оказываются закрытыми. Через закрытые переходы протекают небольшие по величине неуправляемые токи. [65]
Определение барьерных емкостей переходов транзистора в принципе ничем не отличается от расчетов, приведенных в § 2.8. При расчете барьерной емкости коллектора часто можно пренебречь контактной разностью потенциалов, учитывая, что постоянное напряжение на коллекторе довольно велико. [66]
 |
Условные графические обозначения транзисторов и тиристоров. [67] |
Какой из р-п переходов транзистора обычно имеет большую площадь. [68]
Если к обоим переходам транзистора приложено обратное напряжение, то в этом состоянии внутреннее сопротивление транзистора будет очень велико, и практически ток через транзистор пройти не сможет. [69]
Страницы: 1 2 3 4 5