Переход - транзистор
Cтраница 3
 |
Включение формирователя.| Принцип построения транзисторной с емы выборки. [31] |
На базо-змиттерных переходах транзисторов построена схема выборк по двум координатам, аналогичная схеме диодной выборки. [32]
 |
Передаточная ( амплитудная характеристика ячейки ТТЛ. [33] |
В начинается переход транзистора Г2 в режим нормального включения. Это видно из того, что на эмиттере запертого транзистора Т2 напряжение равно приблизительно нулю, а на его базе напряжение равно t / BX - h кэ. [34]
 |
Сплавной транзистор, а - чертеж конструкции. б - схемное обозначение.| Способы подключения внешних источников питания к транзи -. стору типа р-п - р. [35] |
Для обоих переход транзистора р-п - р ripsj мым направлением 8 ляется такое, при которо. [36]
 |
Схема полупроводникового регулятора напряжения типа РНТ-3. [37] |
При этом коллектор-эмиттерный переход транзистора ПТЗ шунтирует переход управляющий электрод-катод тиристора ВКУ1, ток в этой цепи становится меньше тока удержания тиристора и он закрывается. Таким образом, управляющее воздействие измерительного органа направлено на вход главного тиристора ВК. [38]
Если оба перехода транзистора смещены в обратном направлении, то через них могут проходить обратные неуправляемые токи. [39]
При пробое переходов транзистора Т6 режекторные контуры оказываются постоянно отключенными. При этом четкость черно-белого изображения будет высокой, но на цветном изображении будут присутствовать помехи в виде мелкоструктурной сетки, меняющие свой характер через строку. При обрыве дросселя Др2 согласование ухудшается, коррекция отсутствует и четкость понижается за счет появления отражений от концов линии, видимых как повторы на изображении. [40]
 |
Временная диаграмма формирования фронта выходного. [41] |
В момент перехода транзистора из режима отсечки в режим насыщения на выходе ключа происходит нарастание сигнала. [42]
 |
Схемы проверки исправности транзисторов.| Схема проверки качества транзисторов. [43] |
Прямое сопротивление переходов транзисторов обычно составляет величины порядка десятков или сотен ом, обратное - от сотен килоом до единиц мегом. Кремниевые маломощные транзисторы обладают наибольшей величиной прямого и обратного сопротивления переходов, мощные германиевые - наименьшей. Исправность переходов и их выводов еще не гарантирует нормальной работы транзистора в данной конкретной схеме, но в большинстве случаев указывает на то, что транзистор не вышел из строя вследствие механических или температурных повреждений. [44]
Изменение температуры переходов транзистора на 10 С из-за его прогрева или изменение температуры окружающей среды в обычном резисторном каскаде вызывает приведенное ко входу транзистора напряжение дрейфа порядка 20 мВ, дрейф такого же порядка вызывается и изменением напряжения источника питания каскада на 1 - 2 В. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5