Эмиттерной переход

Cтраница 1

Протекание токов в тиристоре при отключенном ( а, в и включенном ( г управляющем электроде и вольт-амперная характеристика ( б, характеризующая эти режимы. [1]

Эмиттерные переходы / 71 и ПЗ окажутся смещенными ( включенными) в прямом направлении. [2]

Эмиттерные переходы при указанной на рис. 6.21, а полярности открыты. Поэтому они воспринимают на себя малые доли от общего напряжения, приложенного к тиристору, а коллекторный переходЯ2 смещен в обратном направлении, в связи с чем он воспринимает наибольшую часть напряжения питания. [3]

Влияние ограничения скорости дрейфа носителей на распределение пространственного заряда в области коллекторного перехода и на положение его границ. [4]

Вблизи эмиттерного перехода заряд также будет смещаться, но в высокочастотных транзисторах, изготовленных с помощью диффузии, концентрация примесей у эмиттера столь велика, что изменением границ эмиттерного перехода можно пренебречь. [5]

Емкость эмиттерного перехода С - емкость, измеренная между выводами эмиттера и базы при отключенном коллекторе и обратном смещении на эмиттере. [6]

Емкость эмиттерного перехода совместно с распределенным сопротивлением материала базы rg является основной причиной частотной зависимости токов транзистора. Кроме того, на сопротивлении гб бесполезно тратится часть подводимого к базе внешнего напряжения UQ, в результате чего напряжение на эмиттерном переходе оказывается ослабленным. [7]

Емкость эмиттерного перехода ( барьерная) Ся. Емкость эмиттерного перехода шунтируется малым сопротивлением га и оказывает слабое влцяние на работу в диапазоне высоких частот. [8]

Энергетическая схема и распределение токов в транзисторе структуры п-р - п при нормальных смещениях. Стрелки указывают направление движения электронов. Сплошными линиями изображены электронные составляющие токов, штриховыми - дырочные. [9]

Функцией эмиттерного перехода является инъекция ( впрыскивание) неосновных носителей в область базы. [10]

Распределение токов в транзисторе структуры р-п - р при нормальных смешениях. [11]

Функцией эмиттерного перехода является инжекция ( впрыскивание) неосновных носителей в область базы. Для этого область эмиттера р-типа ( для структуры р-п - р, показанной на рис. 2 - 33) делается значительно более низкоомной, чем область базы. В результате дырочная составляющая / эр эмиттерного тока, обусловленная потоком дырок из эмиттера в базу, превалирует над электронной составляющей / эп, обусловленной потоком электронов из базы в эмиттер. [12]

Эквивалентная схе-ма эмиттерного повторителя. [13]

Емкость эмиттерного перехода С9б, хотя и превышает емкость С, играет роль только на очень высоких частотах, так как она включена параллельно малому сопротивлению эмиттерного перехода га. [14]

Диаграммы распределения зарядов в базах тиристора во времени в период включения ( а и кривые изменения тока и напряжения в период включения тиристора через анод ( б. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5