Эмиттерной переход
Cтраница 2
Емкости эмиттерных переходов хотя и велики, но меньше влияют на переходный процесс, поскольку напряжения, воспринимаемые ими, весьма малы. [16]
Емкость эмиттерного перехода в сплавных транзисторах шунтируется малым сопротивлением эмиттерного перехода гэ, поэтому ее влиянием можно пренебречь. [17]
Шунтирование эмиттерного перехода в комбинированно-выключаемом тиристоре, согласно экспериментальным данным, усиливает эффект влияния тока управления на время выключения. [18]
Емкость эмиттерного перехода Сэ - емкость, измеренная между выводами эмиттера и базы при отключенном коллекторе и обратном смещении на эмиттере. [19]
Сопротивление эмиттерного перехода гэ обратно пропорционально току эмиттера и практически не зависит от напряжения коллектора. [20]
Сопротивление эмиттерного перехода гэ, как: ледует из выражения ( 4 - 22), обратно пропорционально току эмиттера зплоть до очень малых значений последнего. Зависимость гэ ( [ / к) очень: лаба, и практически ею можно пренебречь. [21]
Сопротивление эмиттерного перехода гэ, как следует из выражения ( 4 - 22), обратно пропорционально току эмиттера вплоть до очень малых значений последнего. Зависимость ra ( к) очень слаба, и практически ею можно пренебречь. [22]
К эмиттерному переходу приложится прямое напряжение, в результате чего в область базы со стороны эмиттера начнут эмиттироваться электроны. Эти электроны, проходя через базу, попадают в область коллектора и создают коллекторный ток. Ток в коллекторе будет тем больше, чем больше ток эмиттера, так как с увеличением тока эмиттера в базе возрастает концентрация неосновных носителей, которые и создают коллекторный ток. Поскольку сопротивление эмиттерного перехода мало, эмиттирование носителей в базу через этот переход связано с затратой небольшой энергии, так как падение напряжения на эмиттерном переходе незначительно. Основная часть этих носителей, проходя через коллекторный переход, снижает его сопротивление, в результате чего внутреннее сопротивление транзистора постоянному току уменьшается и коллекторный ток возрастает. При достаточно большом значении резистора RK падение напряжения, создаваемое на нем коллекторным током, будет в десятки раз превосходить величину напряжения, подаваемого на вход. [23]
К эмиттерному переходу прикладывается напряжение U3 порядка десятых долей вольта в прямом направлении. Напряжение UK, подаваемое между базой и коллектором, имеет порядок нескольких вольт и является запирающим для коллекторного перехода. [24]
 |
Движение носителей зарядов ( а и токи в транзисторе ( б. [25] |
К эмиттерному переходу приложено прямое напряжение, и поэтому ток через этот переход, а значит и коллекторный ток сильно зависит от напряжения С / эв. Таким образом, изменяя напряжение на эмиттерном переходе, можно легко и в значительных пределах управлять током, текущим в транзисторе. [26]
 |
Схемы включения транзисторов. [27] |
К эмиттерному переходу подводится обратное напряжение, а к коллекторному - прямое. Эмиттер и коллектор меняются своими ролями - эмиттер выполняет функции коллектора, а коллектор - функции эмиттера. Этот режим, как правило, не соответствует нормальным условиям эксплуатации транзистора. [28]
 |
Движение носителей зарядов ( а и токи в транзисторе ( б. [29] |
К эмиттерному переходу приложено прямое напряжение, и поэтому ток через этот переход, а значит и коллекторный ток сильно зависит от напряжения С / эв. Таким образом, изменяя напряжение на эмиттерном переходе, можно легко и в значительных пределах управлять током, текущим в транзисторе. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5