Эмиттерной переход

Cтраница 3

К эмиттерному переходу пбдключена катушка индуктивностью LCB, индуктивно связанная с катушкой индуктивностью L контура. Колебания в контуре вследствие электромагнитной индукции возбуждают колебания напряжения на концах первой катушки и тем самым на эмиттерном переходе. Если фаза колебаний напряжения на эмиттерном переходе подобрана правильно, то толчки тока в цепи контура действуют на контур в нужные интервалы времени и колебания не затухают. Напротив, амплитуда колебаний в контуре возрастает до тех пор, пока потери энергии в контуре не начнут точно компенсироваться поступлением энергии от источника. [31]

Энергетическая схема и распределение токов в транзисторе п-р - п типа. [32]

К эмиттерному переходу приложено прямое смещение, к коллекторному-обратное. Область эмиттера выполнена более низ-коомной, чем область базы. При этом электронная составляющая эмиттерного тока ( / а) значительно превосходит дырочную составляющую этого тока ( / Эр), обусловленную потоком дырок из базы в эмиттер. [33]

При открытом эмиттерном переходе транзистор может находиться в активном состоянии или в насыщении. По этому признаку применяемые в генераторах режимы можно разделить на два класса. [34]

При закрытом эмиттерном переходе или при отключенном эмиттерном электроде через коллекторный переход протекает коллекторный ток - / ко, называемый обратным током коллектора. Величина обратного тока коллектора зависит от концентрации неосновных носителей. [35]

При закрытом эмиттерном переходе или при отключенном эмиттерном электроде через коллектор протекает коллекторный ток / ко, называемый о бр а тны м ( или нулевым) током коллектора. Величина обратного тока коллектора зависит от концентрации неосновных носителей. [36]

При этом эмиттерные переходы 2, 3, 4 и 5 транзисторов закрываются и триггер управляется сигналами, поступающими на эмиттеры / или 6 транзисторов. Запись 0 производится в обратном порядке. [37]

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода с увеличением температуры изменяется как динамическое сопротивление диода, включенного в прямом направлении. [38]

Электрическое поле эмиттерного перехода сосредоточено в узкой области самого перехода, поэтому большая часть дырок, попав в базу, где нет поля, совершает в ней диффузионное перемещение и достигает коллекторного перехода. [39]

Положительное смещение эмиттерного перехода / 3 приводит к инжекции электронов этим переходом в область р-бащ и увеличению обратного тока закрытого тиристора. Вследствие этого в приборе выделяется дополнительная мощность потерь, ухудшающая тепловой баланс. Поэтому цепь управления необходимо спроектировать таким образом, чтобы исключить появление положительного импульса управления при воздействии обратного напряжения в силовой цепи. В противном случае нужно уменьшить прямой ток или улучшить условия охлаждения. [40]

Регулирование эффективности эмиттерного перехода можно осуществить его закорачиванием посредством структурных приемов вместо средств, связанных с контролем распределения концентрации примесей между эмиттером и базой. Такая структура показана на фиг. [41]

Зависимость коэффициентов передачи а и а от эмиттерного тока. [42]

После отпирания эмиттерного перехода а возрастает, a CM остается равным единице. Это означает, что коэффициент ударной ионизации М должен уменьшаться. Соответственно должно уменьшаться коллекторное напряжение. [43]

Транзистор в схеме с щей базой. [44]

Напряженность поля эмиттерного перехода при этом уменьшится. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5