Эмиттерной переход

Cтраница 5

При смещении эмиттерных переходов в прямом направления в области базы у каждого эмиттерного перехода накапливаются не-основиые носители. [61]

Полупроводниковые триоды. [62]

Потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается, а коллекторного увеличивается. На эмиттерном переходе имеет место ин-жекция электронов из n - области в область р и дырок. [63]

При запирании эмиттерного перехода внутренняя положительная обратная связь в транзисторе будет уменьшаться; скапливающиеся в базе электроны будут уводиться через базовый вывод на источник запирающего напряжения. [64]

Поскольку сопротивление прямосмещенного эмиттерного перехода мало по сравнению с сопротивлением обратносмещенного коллекторного перехода, то и мощность управления по входной эмиттерной цепи оказывается намного меньше мощности, циркулирующей в выходной цепи, содержащей коллекторный переход. Именно с этим обстоятельством связаны в конечном счете усилительные свойства транзистора. [65]

Страницы: 1 2 3 4 5