Эмиттерной переход
Cтраница 4
Барьерные емкости эмиттерных переходов являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении основного напряжения на тиристоре. Емкостные токи не связаны с инжекцией носителей заряда, поэтому с увеличением скорости изменения основного напряжения включение тиристора должно происходить при напряжениях, больших С / вкло ( рис. 5.10), если учитывать только барьерные емкости эмиттерных переходов. [46]
Барьерные емкости эмиттерных переходов являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении основного напряжения на тиристоре. Емкостные токи не связаны с инжекцией носителей заряда, поэтому с увеличением скорости изменения основного напряжения включение тиристора должно происходить при напряжениях, больших 6 / вкло ( рис. 5.10), если учитывать только барьерные емкости эмиттерных переходов. [47]
Обратный ток эмиттерного перехода в большинстве случаев мало влияет на работу ключа, поэтому его учитывать не будем. [48]
ТКН) эмиттерного перехода, как и ТКН полупроводникового диода, составляет - 2 мБ / град и имеет отрицательный знак Лт. С / Эб уменьшается ( так же как и прямое сопротивление перехода), что приводит к увеличению входного тока. [49]
Коэффициенты инжекции эмиттерных переходов 171, / 73, близкие к 1, и неосновные носители заряда будут только в базовых областях структуры. Распределение дырок и электронов в открытом состоянии тиристора ( / / о) показано на рис. 3.40, г жирной линией. [50]
После запирания эмиттерного перехода в момент времени / 8 ( см. рис. 7.2) транзистор оказывается в области отсечки. В схеме прекращается регенерация и начинается стадия восстановления. Поскольку транзистор работает в области отсечки, то токи базы и коллектора быстро спадают. Спад коллекторного и базового напряжений происходит по мере рассеяния анергии, запасенной в сердечнике трансформатора и в емкостях. [51]
Коэффициент инжекции эмиттерного перехода у в дрейфовых транзисторах ниже, чем в бездрейфовых, за счет того, что поле создается в результате неравномерного распределения примеси в базе, причем у эмиттерного перехода проводимость возрастает, в результате чего в соответствии с (4.33) Y уменьшается. Непостоянная концентрация примеси в базовой области затрудняет расчет у также в связи с тем, что имеет место зависимость коэффициента диффузии носителей заряда от концентрации примесей. [52]
 |
Коллекторные характеристики мощного транзистора. а - - в схеме ОБ. б - в схеме ОЭ. [53] |
А сопротивление эмиттерного перехода ничтожно мало и с ним практически можно не считаться. Последнее при высоких уровнях инжекции модулируется ( см. рис. 2 - 34) и обычно лежит в пределах до 10 Ом. Малое значение входного сопротивления не является препятствием для применения мощных транзисторов, если связь с источником сигнала осуществляется через трансформатор. Сопротивление коллекторного перехода при токах около 1 А составляет всего несколько кило-ом, а сопротивление г. в схеме ОЭ - сотни ом. [54]
 |
Распределение примесей в базе дрейфового транзистора. [55] |
Меньшая ширина эмиттерного перехода у дрейфовых транзисторов при прочих равных условиях означает большое значение барьерной емкости Сэ. Иначе говоря, частотные свойства дрейфовых транзисторов могут ограничиваться не временем пролета, а постоянной времени TY. Тогда сопротивление гэ уменьшается и постоянная времени гаСа оказывается достаточно малой. [56]
Барьерные емкости эмиттерных переходов при быстром изменении приложенного напряжения вызывают появление емкостных токов через эти переходы. [58]
Барьерные емкости эмиттерных переходов хотя и имеют большие значения по сравнению с барьерной емкостью коллекторного перехода, но на процесс включения тиристора влияют значительно меньше, так как они шунтируют малые сопротивления эмиттерных переходов, включенных в прямом направлении. Поэтому напряжение включения тиристора в открытое состояние с увеличением скорости изменения анодного напряжения уменьшается. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5