Электронно-дырочный переход - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Закон Вейлера: Для человека нет ничего невозможного, если ему не надо делать это самому. Законы Мерфи (еще...)

Электронно-дырочный переход

Cтраница 2


16 Формирование островков с электропроводностью п-типа на монокристаллической подложке кремния с электропроводностью р-типа планарно-эпитаксиальным методом с разделительной диффузией. [16]

Электронно-дырочный переход, изолирующий отдельные элементы полупроводниковой интегральной микросхемы друг от друга, может быть создан различными способами, которых в настоящее время разработано более десятка.  [17]

Электронно-дырочные переходы, приводящие к упрочнению или ослаблению связи, могут быть описаны с помощью зонной энергетической диаграммы.  [18]

19 Зонная структура в области р-л-перехода. [19]

Электронно-дырочные переходы бывают нескольких типов.  [20]

Электронно-дырочный переход является рабочим элементом многих полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.  [21]

22 Типичные конструкции терморезисторов. а - бусинковый. б, в - стерженьковые. г - шайбовый. О - таблеточный. / - рабочее тело. г - выводы. [22]

Электронно-дырочный переход ( р-п переход) обладает свойством односторонней проводимости, и простейшим прибором, основанным на использовании свойств р-п перехода, является диод. Сочетание двух и более р-п переходов в одном кристалле при определенных условиях позволяет получить приборы, вольт-амперные характеристики которых могут деформироваться в желаемом направлении под действием электрического сигнала или при воздействии других внешних факторов. К приборам данной группы относятся транзисторы, фотодиоды, фототранзисторы, термодиоды и термотранзисторы, тиристоры, фототиристоры и другие многослойные приборы.  [23]

24 Контакт ПП одного типа проводимости. [24]

Электронно-дырочный переход является основным элементом почти всех ПП приборов, основанных на выпрямлении порем, сигналов и иижекции неосновных носителей. В пе-реходахр - р или п - материал ПП имеет разную концентрацию примесей.  [25]

Электронно-дырочный переход рассматривается в виде потенциального барьера с высотой фконт - Up - n, где фконт - контактная разность потенциалов; Up - n - напряжение, приложенное к переходу.  [26]

Электронно-дырочный переход образуется в полупроводниковом кристалле, имеющем две области: одну с электронной ( п), вторую - с дырочной ( р) электропроводностью, при условии, что граница между ними ( поверхность контакта между р - и n - областями) достаточно резкая.  [27]

Электронно-дырочный переход ( сокращенно р-п переход) основной элемент современных диодов и транзисторов, р-п переход возникает на границе между дырочной и электронной областью одного кристалла. Однако его нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластинок р - и n - типа проводимости, так как при этом неизбежен промежуточный слой воздуха, окислов или других поверхностных загрязнений, р-п переход получается в едином кристалле полупроводника, в котором при легировании донорами и акцепторами получена резкая граница между р - и л-обла-стью.  [28]

Электронно-дырочный переход обладает вентильными свойствами, что позволяет создать полупроводниковые диоды.  [29]

30 Германиевый диод. а - общие виды. б - вольтамперная характеристика. [30]



Страницы:      1    2    3    4    5