Cтраница 2
![]() |
Формирование островков с электропроводностью п-типа на монокристаллической подложке кремния с электропроводностью р-типа планарно-эпитаксиальным методом с разделительной диффузией. [16] |
Электронно-дырочный переход, изолирующий отдельные элементы полупроводниковой интегральной микросхемы друг от друга, может быть создан различными способами, которых в настоящее время разработано более десятка. [17]
Электронно-дырочные переходы, приводящие к упрочнению или ослаблению связи, могут быть описаны с помощью зонной энергетической диаграммы. [18]
![]() |
Зонная структура в области р-л-перехода. [19] |
Электронно-дырочные переходы бывают нескольких типов. [20]
Электронно-дырочный переход является рабочим элементом многих полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. [21]
![]() |
Типичные конструкции терморезисторов. а - бусинковый. б, в - стерженьковые. г - шайбовый. О - таблеточный. / - рабочее тело. г - выводы. [22] |
Электронно-дырочный переход ( р-п переход) обладает свойством односторонней проводимости, и простейшим прибором, основанным на использовании свойств р-п перехода, является диод. Сочетание двух и более р-п переходов в одном кристалле при определенных условиях позволяет получить приборы, вольт-амперные характеристики которых могут деформироваться в желаемом направлении под действием электрического сигнала или при воздействии других внешних факторов. К приборам данной группы относятся транзисторы, фотодиоды, фототранзисторы, термодиоды и термотранзисторы, тиристоры, фототиристоры и другие многослойные приборы. [23]
![]() |
Контакт ПП одного типа проводимости. [24] |
Электронно-дырочный переход является основным элементом почти всех ПП приборов, основанных на выпрямлении порем, сигналов и иижекции неосновных носителей. В пе-реходахр - р или п - материал ПП имеет разную концентрацию примесей. [25]
Электронно-дырочный переход рассматривается в виде потенциального барьера с высотой фконт - Up - n, где фконт - контактная разность потенциалов; Up - n - напряжение, приложенное к переходу. [26]
Электронно-дырочный переход образуется в полупроводниковом кристалле, имеющем две области: одну с электронной ( п), вторую - с дырочной ( р) электропроводностью, при условии, что граница между ними ( поверхность контакта между р - и n - областями) достаточно резкая. [27]
Электронно-дырочный переход ( сокращенно р-п переход) основной элемент современных диодов и транзисторов, р-п переход возникает на границе между дырочной и электронной областью одного кристалла. Однако его нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластинок р - и n - типа проводимости, так как при этом неизбежен промежуточный слой воздуха, окислов или других поверхностных загрязнений, р-п переход получается в едином кристалле полупроводника, в котором при легировании донорами и акцепторами получена резкая граница между р - и л-обла-стью. [28]
Электронно-дырочный переход обладает вентильными свойствами, что позволяет создать полупроводниковые диоды. [29]
![]() |
Германиевый диод. а - общие виды. б - вольтамперная характеристика. [30] |