Cтраница 3
Электронно-дырочный переход состоит из сверхчистого монокристаллического кремния электронной проводимости, в который с одной стороны вплавлен алюминиевый сплав, а с другой - сплав серебра, сурьмы и свинца. [31]
Электронно-дырочный переход), отделенные тонкой средней областью, называемой базой. [32]
Электронно-дырочный переход) тем, что дно зоны проводимости n - области располагается ниже потолка валентной зоны р-области. [33]
Электронно-дырочный переход), отделенные тонкой средней областью, называемой базой. Один из р - п переходов, называемый коллекторным, присоединяется к источнику Ек, создавшему на, нем обратное напряжение, а через другой ( эмиттерный) переход с помощью источника Е3 пропускается ток прямого направления, ограничиваемый сопротивлением R. Крайние области называются соответственно коллектором и эмиттером. Если бы расстояние между коллекторным и эмиттерным переходами, зависящее от толщины базы ( W), было достаточно большим ( больше диффузионной длины неосновных носителей), то каждый из р - п переходов работал бы как независимый полупроводниковый диод. [34]
Устройство плоскостного диода. [35] |
Электронно-дырочный переход образуется в результате технологической обработки между двумя слоями полупроводников с проводимостями п - и jo - типа. Возле капли индия образуется слой германия / ьтипа, в результате чего создается электронно-дырочный переход. [36]
Электронно-дырочный переход пропускает электрический ток преимущественно в одном направлении. Объясняется это следующими процессами. При отсутствии приложенного извне электрического поля за счет диффузии происходит движение зарядов через п - / ьпереход. [37]
Электронно-дырочные переходы используются в диодах, транзисторах и других приборах. [38]
Электронно-дырочный переход находится в объеме германия, вблизи поверхности; металлическая проволока выполняет лишь роль токоотвода. [39]
Электронно-дырочный переход кроме односторонней проводимости обладает электрической емкостью. Различают барьерную емкость перехода при обратном включении и диффузионную емкость перехода при прямом включении. [40]
Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называется эмиттерным, а между коллектором и базой - коллекторным. [41]
Электронно-дырочный переход ( р-п-переход) - это переходный слой между двумя областями полупроводника с разной электропроводностью, в котором существует диффузионное электрическое поле. [42]
Схема технологического процесса формирования. [43] |
Электронно-дырочный переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси, называют конверсионным р-п-переходом. В такой германий проводят вплавление навески металла или сплава. Медь, отличаясь высоким коэффициентом диффузии в германии, при вплавлении диффундирует из германия в навеску. [44]
Электронно-дырочные переходы при изготовлении стабилитронов формируют методами вплавления и диффузии примесей. При вплавлении или при диффузии одной и той же примеси с двух сторон кристалла кремния можно сформировать одновременно два p - n - перехода, которые при подаче напряжения на крайние области структуры окажутся включенными встречно. Так изготовляют стабилитроны с симметричной ВАХ - двуханодные стабилитроны, предназначенные для применения в схемах стабилизации напряжения разной полярности и для защиты различных элементов электрических цепей от перенапряжений обеих полярностей. [45]