Cтраница 5
Электронно-дырочный переход и сопротивление тела полупроводникового прибора, представленные в аналитической форме, можно моделировать средствами аналоговой вычислительной техники. В разработанной схеме набора функциональный преобразователь воспроизводит вольтамперную характеристику слаботочного диода-модели, которая может деформироваться в нужном направлении изменением передаточных коэффициентов. [61]
Электронно-дырочный переход, или как его называют р - п-пе-реход образуется на границе между полупроводниками с дырочной ( р-типа) и электронной ( n - типа) проводимостью. Он является основным элементом во многих полупроводниковых. [62]