Электронно-дырочный переход

Cтраница 1

Электронно-дырочный переход обладает свойствами, которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы. На рис. 2.1, а условно показан кристалл, одна часть объема которого имеет дырочную электропроводимость, а другая - электронную. В этом случае электроны и дырки могут переходить через границу. Слева от границы раздела электронов значительно меньше, чем справа, поэтому электроны стремятся диффундировать в р-область. Однако как только электроны попадают в / 7-область, они начинают рекомбинировать с дырками, основными носителями в р-области, и их концентрация по мере углубления быстро убывает. Аналогично дырки диффундируют из р-области в п-область. [1]

Электронно-дырочный переход имеет двойной электрический слой: с одной стороны из положительно заряженных доноров и с другой - отрицательно заряженных акцепторов. Этот двойной электрический слой, расположенный между р - и n - областью, подобен заряженным обкладкам конденсатора, с той лишь разницей, что у обычного конденсатора заряд сосредоточен на обкладках, а у p - n - перехода он распределен в двойном электрическом слое ( запирающем слое), обладающем диэлектрическими свойствами. [2]

Электронно-дырочный переход обладает свойствами, которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы. На рис. 2.1, а условно показан кристалл, одна часть объема которого имеет дырочную электропроводность, а другая - электронную. Электроны и дырки проводимости могут переходить через границу. Слева от границы раздела электронов значительно меньше, чем справа, поэтому электроны стремятся диффундировать в р-область. Как только электроны попадают в р-область, они начинают ре-комбинировать с дырками, основными носителями в р-области и их концентрация по мере углубления быстро убывает. Аналогично дырки диффундируют из р-области в n - область и рекомбини-руют там с электронами. [3]

Устройство биполярного транзистора ( а и его условное обозначение ( б. [4]

Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называется эмиттерным, а между базой и коллектором - коллекторным. Различна степень легирования областей. Обычно концентрация примесей в эмиттере на 2 - 3 порядка выше. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа прибора. [5]

Электронно-дырочные переходы получают различными технологическими способами. Основными из них являются точечно-контактный, сплавной, диффузионный, способы получения р - - переходов в процессе изготовления монокристалла и электрохимический. [6]

Расположение областей с различной электропроводимостью в полупроводниковых плоскостных триодах и обозначение триодов на схемах. [7]

Электронно-дырочные переходы в транзисторах могут быть получены так же, как в плоскостных диодах. [8]

Электронно-дырочный переход может быть получен и в полупроводниковом кристалле с одним видом проводимости путем осуществления точечного контакта этого кристалла с металлическим острием. [9]

Электронно-дырочные переходы в монокристаллах карбида кремния могут быть получены различными методами: в процессе выращивания кристаллов методом сублимации, методом жидкостной эпитаксии, методом газовой эпитак-сии, вплавлением, ионной имплантацией, методом диффузии из газовой фазы. [10]

Электронно-дырочные переходы в карбиде кремния получают также методом эпитаксиалыюго наращивания из газовой фазы. Рост эпитаксиальных слоев осуществляется на плоскостях ( 0001) монокристаллов карбида кремния, расположенных в холодной зоне тигля, при давлении паров карбида кремния выше равновесного. Легирование эпитаксиальных слоев производится элементами III и V групп периодической системы, вводимыми из газовой фазы. Полученные этим способом р-н-переходы имеют, как правило, эпитаксиально-диффу-зионную структуру вследствие диффузии примесей при температуре эпитаксии. [11]

Электронно-дырочный переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси, называют конверсионным р-п-переходом. В такой германий проводят вплавление навески металла или сплава. Медь, отличаясь высоким коэффициентом диффузии в германии, при вплавлении диффундирует из германия в навеску. [12]

Ступенчатый р-п переход. [13]

Электронно-дырочный переход ( р-п переход) образуется внутри одного кристалла при контакте области р-типа и области / г-типа. Плотность акцепторов и плотность доноров на границе контактируемых областей резко меняются, образуя ступенчатый переход. В зависимости от способа создания р-п переходы делятся на сплавные и выращенные. Сплавные переходы, применяемые на практике, представляют собой переходы, весьма близкие к ступенчатым, р-п переходы являются основой транзисторной техники. [14]

Электронно-дырочные переходы при изготовлении стабилитронов формируют методами вплавления и диффузии примесей. При вплавлении или при диффузии одной и той же примеси с двух сторон кристалла кремния можно сформировать одновременно два р-и-перехода, которые при подаче напряжения на крайние области структуры окажутся включенными встречно. Так изготовляют стабилитроны с симметричной ВАХ - двуханодные стабилитроны, предназначенные для применения в схемах стабилизации напряжения разной полярности и для защиты различных элементов электрических цепей от перенапряжений обеих полярностей. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5