Cтраница 4
![]() |
Формирование остров ков с электропроводностью га-типа на монокристаллической подложке кремния с электропроводностью р типа планарно-эпитаксиальным методом с разделительной диффузией. [46] |
Электронно-дырочный переход, изолирующий отдельные элементы полупроводниковой инте тральной микросхемы друг от друга, может быть создан различными способами, которых в настоящее время разработано более десятка. [47]
Электронно-дырочные переходы в кристаллах полупроводников для светодиодов изготавливают методом диффузии примесей в монокристалл либо методом сплавления. [48]
Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением пластин п - и р-типа, так как при этом неизбежен промежу - 3.1. Электронно-дырочный неточный слой воздуха, окислов или реход поверхностных загрязнений. [49]
Электронно-дырочные переходы в кристаллах полупроводников для светодиодов изготавливают методом диффузии примесей в монокристалл либо методом сплавления. [50]
Электронно-дырочный переход образуют термической обработкой пластинки со слоем Си20 в окислительной атмосфере. На этом принципе основано получение медно-закисных ( купоросных) выпрямителей. [51]
![]() |
Получение р - л-перехода методом сплавления. [52] |
Электронно-дырочный переход может быть получен также диффузией акцепторной примеси в донорный полупроводник или донорной примеси в акцепторный полупроводник. [53]
Электронно-дырочный переход может быть получен также путем диффузии акцепторной примеси в донорный полупроводник, или донорной примеси в акцепторный полупроводник. [54]
Электронно-дырочные переходы ( или переходы других типов), используемые в полупроводниковых приборах, включаются во внешнюю электрическую цепь с помощью специальных невыпрямляющих ( омических) контактов, к которым присоединены внешние выводы. Эти контакты имеют линейную вольтамперную характеристику в диапазоне рабочих напряжений и токов полупроводникового прибора. Свойства приборов во многом определяются характером и расположением невыпрямляющих контактов. [55]
Электронно-дырочный переход, р - и п-части которого имеют омические контакты для включения во внешнюю цепь, представляет собой полупроводниковый диод. [56]
Электронно-дырочный переход является основным структурным элементом большинства полупроводниковых приборов, его свойствами определяются принцип действия и функциональные возможности этих приборов. Поэтому необходимо детально ознакомиться с физическими процессами, протекающими в р - - переходах, основными закономерностями этих процессов, характеристиками и параметрами переходов. [57]
Электронно-дырочный переход смещается при этом в прямом направлении, и его потенциальный барьер понижается. Однако в реальных структурах концентрация акцепторов ( дырок) в р - слое в десятки и сотни тысяч раз превышают концентрацию доноров ( электронов) в л-базе. Ин-жекция дырок из р - слоя в л-базу намного превосходит при этом инжекцию электронов из я-базы в р - слой. Поэтому и принято называть р - слой эмиттером. [58]
![]() |
Обозначения р-п - р транзистора ( а и n - p - п транзистора ( б.| Энергетическая диаграмма и распределение токов в транзисторе с замкнутыми электродами. [59] |
Электронно-дырочный переход, образованный коллекторным слоем р2 и слоем пь называется коллекторным переходом. В нормальном режиме он смещен в обратном направлении ( минус на коллекторе, плюс на базе) и перебрасывает ( собирает) дырки из области nj в область рч. [60]