Кремниевая пластина

Cтраница 1

Кремниевая пластина щириной b 2см помещена в однородное магнитное поле с индукцией В 0 1Тл перпендикулярно линиям магнитной индукции. Холловская разность потенциалов [ / х 0 368 В возникает на гранях пластины при протекании тока с плотностью j 0 5 А / мм2 вдоль пластины. [1]

Кремниевая пластина щириной b 2см помещена в однородное магнитное поле с индукцией В - 0 1Тл перпендикулярно линиям магнитной индукции. Холловская разность потенциалов С / х 0 368 В возникает на гранях пластины при протекании тока с плотностью j 0 5 А / мм2 вдоль пластины. [2]

Кремниевая пластина с интегральной схемой припаивается к ножке корпуса припоем, состоящим из золота и германия. Сама пластина имеет на своей нижней стороне тонкий вплавленный слой золота. Перед присоединением пластины ножка с припоем нагревается до расплавления припоя. Процесс ведется в, потоке инертного газа для предотвращения окисления. [3]

Кремниевые пластины, подвергаемые окислению, сначала очищаются с помощью детергента и водного раствора, растворителей с ксилолом, изопропиловым спиртом или другими средствами. Очищенные пластины высушиваются и загружаются в кварцевый держатель для пластин, который называется лодочкой. Через входной конец трубы ( источник) подается высокочистый кислород или смесь кислорода и азота. Поток сухого кислорода контролируется в кварцевой трубе и обеспечивает избыток кислорода для выращивания диоксида кремния на поверхности кремниевой пластины. [4]

Полупроводниковые конвольверы. о - с воздушным зазором. 6 - с пленкой окиси цинка. [5]

Обычно кремниевая пластина поддерживается группой миниатюрных опор, расположенных неупорядоченно на поверхности ниобата лития и потому не вносящих заметного возмущения в распространение ПАВ. Для выполнения опор соответствующие области на поверхности подложки закрываются масками, после чего выполняется травление подложки ионным пучком. [6]

Получение планарной структуры с помощью фотолитографии. [7]

Кремниевые пластины л-типа с удельным сопротивлением 10 ом-см с диаметром 20 мм и толщиной 0 45 мм подвергаются травлению в смеси кислот HF: HNOs: CH3COQH ( 4: 1: 1), промываются в деионизованной воде и растворителях. Окисление поверхности кремния производится при температуре 1250 С в атмосфере кислорода, пропускаемого через кипящую воду. [8]

Кремниевую пластину прикрепляют к держателю из молибдена, вольфрама или их сплавов. [9]

Кремниевую пластину нагревают до 800 - 1200 С и подвергают воздействию кислорода или насыщенных водяных паров. При помощи этого слоя предотвращается диффузия примесей в полупроводник, находящийся под SiO2, так как коэффициент диффузии примесей в двуокиси кремния значительно меньше, чем в полупроводнике. [10]

Окисление кремниевой пластины ( заготовки) производят при температуре 800 - 1200 С в среде кислорода или насыщенных водяных паров. В результате на поверхности кремния образуется пленка окисла толщиной от 0 1 до 2 - 3 мкм. Пленка является хорошим диэлектриком, имеет высокую адгезию ( хорошее соединение) с кремнием и непроницаема для атомов примесей, как донорных, так и акцепторных. [11]

Зависимость скорости роста пленки от скорости потока водорода. [12]

Нагрев кремниевых пластин, находящихся в реакционной камере, происходит с помощью токов высокой частоты. Пластины кремния располагаются на специальной подставке из особо чистого кремния. Кремний нагревают инфракрасными лучами, либо в него вплавляют кусочек низкоомного кремния, с которого и начинается процесс, разогрева. Иногда в качестве материала подставки используют молибден. [13]

Исследования кремниевой пластины показали, что в случае облучения ее плоской волной лазерного света при различных ширинах полосы и интенсивностях ее проводимость изменяется линейно. [14]

Примеси, образующие переходы, для диффузии и ионного легирования. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5