Кремниевая пластина

Cтраница 2

Нагревание кремниевой пластины при высокой температуре позволяет атомам примеси медленно диффундировать в кристаллическую структуру. [16]

Изоляция элементом ИМС диэлектрическим слоем ( а, б, в, г, изоляция элементов ИМС р-п переходом ( д, вид сверху пос -. ле удаления оксидной пленки ( е. [17]

На поверх-яости исходной кремниевой пластины р-типа выращивается эпитаксиальная пленка кремния я-типа. [18]

На кремниевой пластине 1 л - типа ( рис. 43) с эпитаксиально выращенным на ней тонким ( несколько микрометров) слоем 2 n - типа локальным диффузионным легированием с применением фотолитографии последовательно изготовляют области базы 4 р-типа и области эмиттера 5 / 7 -типа. Для уменьшения емкости и повышения пробивного напряжения коллекторного р-п-перехода его изготовляют в слабо легированном слое 2 Сильное легирование пластин / необходимо для уменьшения сопротивления коллекторной области. Затем пластину кремния разделяют на отдельные кристаллы. Металлизированный электрод коллектора 9 изготовляют обычно одновременно с монтажом кристалла пайкой в корпусе прибора. [19]

В исходной высокоомной кремниевой пластине п - при помощи двусторонней диффузии акцепторной примеси формируют р - область анода и р-область базового слоя тиристора. Затем, применяя локальную донор-ную диффузию, создают л - области катода и поверхностные участки управляющего электрода к узкой р-базе. Важным моментом является точность воспроизведения геометрических размеров каждой области, что обеспечивает идентичность характеристик отдельных ячеек. Структура на 2.52, а используется в приборах с высоким обратным напряжением близким по величине к прямому блокируемому напряжению. О бла-стью применения таких тиристоров являются преобразователи без обратных шунтирующих диодов, например управляемые выпрямители Поскольку обратное напряжение тиристора падает на анодном р - л - - пере-ходе, р - область анода выполняется однородной по всей площади ячейки. Однако это повышает падение прямых напряжений на открытой структуре ( 2.5 В) и увеличивает токи утечки. В структуре данных тиристоров через высоколегированные п - участки, сформированные в анодном слое, осуществляют распределенное шунтирование соответствующего перехода. Такие приборы не способны блокировать высокие обратные напряжения. [20]

Для этого кремниевая пластина подвешивается на расстоянии 1 см над поверхностью кислоты в наклонном положении. Форма кривой температурной зависимости скорости травления имеет плато в максимуме температур между 20 и 30 С. [21]

Полупроводниковая, обычно кремниевая пластина, на которой формируете /, интегральная схема. [22]

Схема установки для осуществления диффузии в потоке. [23]

Материалы: кремниевые пластины КЭФ-1 / 0 3 диаметром 30 мм; борный ан-гидрид ВзОз ( ОСЧ), кислота плавиковая ( ХЧ); кислота азотная ( ХЧ); кислота соляная ( ХЧ); толуол, спирт этиловый, лак ХСЛ; аргон чистый ( А), кислород. [24]

Схема установки для осуществления диффузии в потоке. [25]

Материалы: кремниевые пластины КЭФ-1 / 0 3 диаметром 30 мм; борный ангидрид В2Оз ( ОСЧ), кислота плавиковая ( ХЧ); кислота азотная ( ХЧ); кислота соляная ( ХЧ); толуол, спирт этиловый, лак ХСЛ; аргон чистый ( А), кислород. [26]

Активный тепловой регулятор из алюминизирован-ного майлара. [27]

Одна сторона кремниевой пластины покрывается очень тонким слоем никеля и затем слоем припоя для обеспечения контакта. [28]

Если поверхности соединяемых кремниевых пластин покрыты тонким слоем естественного окисла, то они обладают гидрофильными свойствами. В этом случае на соединяемых поверхностях всегда присутствуют адсорбированные молекулы воды, и решающую роль в соединении приведенных в соприкосновение при комнатной температуре пластин играют водородные связи, образующиеся между адсорбированными на поверхностях водяными молекулами. При последующем высокотемпературном отжиге сформированные таким образом водяные кластеры распадаются, молекулы воды диффундируют по границе соединения на поверхность, оставляя достаточно прочные силаксановые связи Si-О - Si, обеспечивающие образование монолитной композиции. [29]

Если поверхность исходной кремниевой пластины обработать в растворе плавиковой кислоты, то присутствующий на ней тонкий слой естественного окисла растворяется, и поверхность приобретает гидрофобные свойства. Для такой поверхности характерно наличие поверхностных связей Si-H, Si - H2, Si-F. Связи Si-H и Si - Н2 слабо поляризованы. При приведении в контакт гидрофобных поверхностей прочное соединение между ними реализуется за счет образования связей типа Si-F, H-Si. При последующем высокотемпературном отжиге происходит десорбция водорода и фтора и их последующая диффузия вдоль границы соединения на поверхность. При этом связи Si-H и Si-F заменяются связями Si-Si. Так как связи Si-F достаточно прочны, то они могут частично сохраняться на границе соединения пластин даже после отжига при 1100 С. Кроме того, при использовании растворов HF с концентрацией более 30 % на соединяемых поверхностях может происходить адсорбция молекул HF, которые препятствуют получению прочного сцепления. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5