Кремниевая пластина

Cтраница 3

На поверхность кремниевой пластины наносят раствор резиста и с помощью центрифуги получают однородную пленку, которую после высушивания на воздухе подвергают предварительному обжигу при определенной температуре в течение определенного времени. Затем резист облучают через маску с соответствующим рисунком ( рабо чую маску) ультрафиолетовыми, дальними ультрафиолетовыми или рентгеновскими лучами и проявляют путем погружения в проявляющий раствор или разбрызгивания проявителя. Далее следует промывка специальным промывочным раствором. [31]

На поверхности шлифованной кремниевой пластины ( подложки) наращивают тонкий слой полупроводника ( несколько десятков микрометров) с проводимостью, отличной от проводимости подложки, этот слой называют эпитакси-альным. В современных ИС обычно используют подложку р-типа, а эпитакоиальный слой является полупроводником п-типа. Далее на поверхности пластинки создают защитную пленку двуокиси кремния, для чего окисляют ее при ( высокой температуре. Затем формируют полупроводниковые области с разными типами электропроводности и разной электрической проводимостью. Для этого используют фотолитографию, травление и диффузию. Сначала поверхность эпитаксиального слоя покрывают специальным светочувствительным полимером-фоторезистом. После проявления этого рисунка на фоторезисте образуются окна ( где офисная пленка не закрыта фоторезистом), через которые проводят травление защитной пленки, а затем осуществляют диффузию в эпитаксиальный слой либо р -, либо n - прим есей. Проводя последовательно несколько циклов окисления, фотолитографирования, травления и диффузии, образуют в эпитаксиальном слое все компоненты ИС-активные и пассивные. Соединения между компонентами ИС создают с помощью напыления на кремниевую пластинку проводникового материала ( чаще всего алюминия), который затем подвергается фотолитографическому травлению. Изоляция между отдельными компонентами ИС проводится с помощью как закрытых р - - переходов, так и окисной пленки. [32]

Изоляция элементом ИМС диэлектрическим слоем ( а, б, в, г, изоляция элементов ИМС р - n переходом ( д, вид сверху после удаления оксидной пленки ( е. [33]

На поверхности исходной кремниевой пластины р-типа выращивается эпитаксиальная пленка кремния / г-типа. [34]

На одной кремниевой пластине одновременно изготовляется несколько десятков интегральных структур, схема крепится в корпусе либо круглой, либо плоской формы. Выводы корпуса соединяются с контактами интегральной структуры проволочками с помощью термокомпрессконной сварки. [35]

На одной исходной кремниевой пластине ( диаметром до 60 мм и толщиной до 0 25 мм) обычно одновременно создается до 2 тыс. планарных транзисторов. Пластина разрезается и отдельные транзисторы ( после проверки параметров) помещаются в герметические металлические, керамические или пластиковые корпуса. Биполярные транзисторы с 1978 г. маркируются семиэлементным кодом. Четвертый, пятый и шестой элементы - трехзначное число, определяющее номер разработки; седьмой элемент - буква, определяющая классификационный параметр данного прибора в семействе приборов, изготовленных по единой технологии. [36]

При термическом оксидировании кремниевая пластина подвергается нагреву при температуре 900 - 1250 С в атмосфере сухого или влажного кислорода. На пластине адсорбируются атомы кислорода, которые диффундируют через образующийся оксидный слой и взаимодействуют с атомами кремния на границе раздела кремний - оксидная пленка. Скорость оксидирования зависит от температуры и давления кислорода или водяного пара. На скорость оксидирования влияют примеси, имеющиеся на поверхности пластины. Чем выше концентрация примесей, тем быстрее идет процесс оксидирования. [37]

Последовательность операций при изготовлении монолитной интегральной схемы. [38]

В конечном итоге готовая кремниевая пластина разрезается на отдельные пластинки, каждая из которых представляет собой вполне законченную схему. [39]

На микроанодах поверхности кремниевой пластины протекает анодная реакция окисления кремния, сопровождающаяся комплексообразованием и переводом атомов кремния в раствор в виде устойчивых комплексных анионов. [40]

Для проверки качества кремниевых пластин устанавливаются при-емо - ч: даточные испытания по 100 % - ной проверке внешнего вида и геометрии пластин. Чистота поверхности и отклонение плоскости пластин гарантируются технологией. [41]

Для окисления поверхности кремниевых пластин с р-п-пере-ходами может применяться следующий метод. [42]

Затем производится шлифовка кремниевой пластины с обратной стороны, пока толщина кремния не составит 10 - 20 мкм. Стекло служит в этом случае основанием. Затем на обратной стороне кремниевой пластины вытравливается изолирующий рисунок. [43]

Схемы конструкции силовых кремниевых вентилей. [44]

Предельно допустимая температура кремниевой пластины является основным фактором, ограничивающим нагрузочную способность СПП. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5