Кремниевая пластина

Cтраница 4

Поэтому для защиты хрупкой кремниевой пластины от тепловых и механических напряжений к ней с обеих сторон припаивают вольфрамовые пластины 2 и 4, имеющие примерно такой же коэффициент линейного расширения, что и кремний. [46]

На окисленную поверхность кремниевой пластины наносят несколько капель раствора фоторезиста. С помощью центрифуги его распределяют тонким ( около 1 мкм) слоем по поверхности пластины, а затем высушивают. На пластину накладывают фотошаблон ( ФШ) рисунком к фоторезисту ( ФР) и экспонируют ( рис. 2.19 а), затем его снимают. После проявления негативный фоторезист удаляется с незасвеченных участков ( рис. 2.19, б), а позитивный - с засвеченных. [47]

Омический контакт к кремниевой пластине, покрытой слоем алюминия, получают следующим образом. Сначала с алюминиевого покрытия стравливают окисный слой, после чего производят химическое никелирование поверхности алюминия. К осажденному никелю припаивают внешние выводы. [48]

Алюминий часто напыляют на кремниевые пластины в вакууме для последующей диффузии, а также для получения омических контактов. [49]

Зависимость скорости плазменного травления слоя платины от давления газа.| Зависимость скорости травления некристаллического кремния газообразным фтором от давления ( при комнатной температуре. [50]

При изготовлении одного МОП-прибора кремниевая пластина подвергается промывке около 30 раз: при предварительной обработке типа окисления, диффузии, осаждения, при обработке до нанесения резиста и при обработке после удаления резистивного слоя. [51]

Схемы установок различного типа для проведения процесса диффузии. [52]

Диффузия легирующих примесей в кремниевые пластины производится с поверхности этих пластин. При этом концентрация примесей получается неравномерной. На поверхности пластины концентрация примесей будет наибольшая, а по мере продвижения в глубь материала величина концентрации постепенно убывает. [53]

В качестве подложки используют кремниевые пластины толщиной 300 мкм и диаметром 60 - 100 мм или пластины из арсенида галлия толщиной 300 мкм и диаметром 20 - 40 мм. Для изготовления ИМС требуются подложки р-и n - типа электропроводности с удельным сопротивлением от 0 01 до 10 Ом / см или диэлектрические подложки. [54]

Поскольку тепловой поток от кремниевой пластины в направлении вывода имеет малую величину, то температура, обычно замеряемая термопарой, на верхнем вольфрамовом диске будет практически соответствовать температуре р-п перехода. [55]

Гибридные схемы состоят из кремниевой пластины с одним или несколькими диодами и транзисторами, на поверхности которой нанесена пленка диэлектрика - двуокиси кремния. На пленку осаждаются тонкопленочные резисторы и конденсаторы. В этих схемах компоненты имеют параметры с широким значением величин и высокой точностью их выполнения. Паразитные емкости в таких схемах получаются меньшими. Однако стоимость гибридных схем выше, чем монолитных, так как при их изготовлении приходится применять большее количество технологических операций. [56]

При переносе рисунка на кремниевую пластину с помощью фотошаблона, конечно, существует предел уменьшения размеров рисунка, определяемый уровнем развития технологии в каждый данный момент времени. В рамках этого ограничения сложность и размеры рисунка не оказывают влияния на стоимость кристалла, поэтому последняя пропорциональна площади кристалла. Допустим, что затраты на НИОКР, необходимые для двукратного уменьшения размеров рисунка, одинаковы для каждого последующего аналогичного уменьшения. Тогда при одинаковой площади кристаллов четырехкратное увеличение емкости памяти ЗУ приведет к его удешевлению в пересчете на 1 бит. В действительности же затраты на НИОКР, необходимые для каждого последующего двукратного уменьшения размеров рисунка, больше аналогичных затрат для предыдущего двукратного уменьшения размеров. Однако увеличение спроса на кристаллы ЗУ приводит к увеличению объема их производства. Поэтому снижается доля затрат на НИОКР в общей стоимости кристаллов. На этапе массового производства стоимость различных кристаллов ЗУ почти одинакова и не зависит от емкости памяти. Следовательно, стоимость i бит ЗУ по мере увеличения емкости памяти неуклонно уменьшается. [57]

В БИС на одной кремниевой пластине размешается несколько сотен или даже тысяч схем. По своим возможностям каждая из таких составляющих схем эквивалентна обычным интегральным схемам. В первую очередь БИС используются в памяти ЭВМ. Микропроцессоры и микро - ЭВМ создаются на основе БИС и представляют собой функционально законченные малоразрядные цифровые вычислительные устройства с хранимой в памяти программой. Микропроцессоры и микро - ЭВМ в настоящее время выполняются в основном в виде одного или нескольких кремниевых кристаллов, расположенных на одной печатной плате. [59]

БИС, выполненные на кремниевой пластине. В этом случае всю БИС выполняют на единой пластине кремния. БИС, изготовленные по данному методу, в свою очередь, также подразделяют на два типа. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5