Эпитаксиальная пленка

Cтраница 1

Эпитаксиальные пленки выращивают на подложке из монокристалла того же или другого материала. В первом случае эпитаксиальный слой при правильной технологии становится естественным продолжением подложки. [1]

Эпитаксиальная пленка может быть легирована различными примесями. Для введения легирующей примеси в наращиваемую эпитаксиальную пленку используют три способа. По первому способу растворяют необходимую примесь в источнике полупроводникового материала. Второй способ предусматривает использование легирующей примеси в элементарном виде и размещение ее в трубе между источником полупроводникового материала и подложкой. Иногда легирующую примесь размещают в отдельной температурной зоне рабочей трубы. Третий способ состоит в добавлении легирующей примеси к летучим йодидам. [2]

Коэффициенты распределения примесей в фосфиде, арсениде и антмониде индия. [3]

Эпитаксиальные пленки арсенида индия получают, пользуясь транспортными реакциями с участием хлоридов или иодидов. Кислород как транспортный агент для переноса индиевых соединений в отличие от галлиевых не применяется из-за гораздо меньшей летучести закиси индия. [4]

Эпитаксиальные пленки выращивают путем напыления в вакууме, электролитическим осаждением, кристаллизацией из растворов или методом транспортных реакций. Чаще всего пленки выращивают из газовой фазы. [5]

Образование начальной дислокации вследствие напряжения несоответствия между тремя срастающимися эародслшамк. [6]

Эпитаксиальные пленки находятся в состоянии высокого напряжения, которое, вероятно, вызвано пластической деформацией в процессе роста пленки Края растущих островков являются предпочтительными местами для зарождения дислокаций, поэтому этот процесс может приводить к образованию дислокаций различных конфигураций. Локализованная пластическая деформация прекращает перемещение дефектов, после чего происходит срастание. Это влияет на дефекты в структуре пленки. Одиночные частичные дислокации могут зарождаться, образуя дефекты упаковки в пленке. Они могут появляться, когда пленка находится в состоянии напряжения из-за загрязнения. [7]

Эпитаксиальные пленки получают различными методами: электролитическим осаждением и химическим взаимодействием, термическим испарением полупроводников в вакууме и кристаллизацией из раствора или расплава. [8]

Эпитаксиальные пленки, выращенные в положении 3, при низкотемпературном режиме испарения получились очень мелкодисперсными, основными фигурами роста для них были фигуры типа усеченных треугольных пирамид. [9]

Структуры элементов в эпитаксиальных пленочных схемах. [10]

Эпитаксиальные пленки позволяют получать и другие типы полупроводниковых приборов - диоды, МДП-транзисторы и пленочные полевые триоды. [11]

Эпитаксиальные пленки представляют собой тонкие пленки полупроводника, наращиваемые на основной кристалл. [12]

Коэффициенты распределения примесей в фосфиде, арсениде и антмониде индия. [13]

Эпитаксиальные пленки, растущие при tK 560 С, обычно содержат много дефектов, в том числе двойников. Рост сдвойникованных кристаллов несколько уменьшается при tK 570 С. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5