Эпитаксиальная пленка

Cтраница 2

Эпитаксиальные пленки ниобата и танталата лития ( LiNbO3 и ТаО3) могут осаждаться различными методами, в том числе методом элекулярной лучевой эпитаксии, химическим осаждением, металлоор-ническим химическим осаждением, ионным плакированием, золь-гель гтодом, в том числе с применением полимерного исходного раствора, аждением с помощью эксимерного и импульсного лазера, а также маг - тронным распылением. [16]

Устройство транзисторов. [17]

Высокоомная эпитаксиальная пленка / ( рис. 2.18, б) наращивается на подложку - полупроводниковую пластинку с малым удельным сопротивлением, которая впоследствии используется в качестве коллектора. В результате реакции в закрытой камере паров хлоридных и иодидных соединений полупроводника с водородом выпадает чистый полупроводник, который и осаждается на поверхность полупроводниковой подложки, образуя тонкую пленку высокого омического сопротивления. Изготовленная таким способом двухслойная пластинка используется далее для изготовления триода типа меза. Электронно-дырочный переход получается между эпитаксиальным слоем и базой. Эпитаксиальный слой обеспечивает малую емкость p - n - перехода и большое пробивное напряжение коллектора. [18]

Эпитаксиальные пленки германия, полученные бромид-ным методом. [19]

Эпитаксиальные пленки карбида кремния представляют определенный технологический интерес, так как они могут быть использованы в электронных приборах, работающих при повышенных температурах и повышенном уровне радиации. Эпитаксиальное выращивание карбида кремния является сложным процессом, поскольку он находится в виде [ 5-модификации с кубической структурой цинковой обманки и в виде а-моднфикации, имеющей множество политипов с гексагональной и ромбоэдрической структурой. Кристаллическая решетка SiC содержит тетраэдрально связанные слои атомов Si и С. Для использования в приборах наиболее подходит кубический SiC, так как он иу е: высокую подвижность носителей. [20]

Эпитаксиальные пленки халькогенидов свинца изготавливаются тремя различными методами: возгонкой на нагретую подложку, катодным распылением на нагретую подложку и химическим осаждением из раствора. [21]

Эпитаксиальные пленки германия Рейзман и Беркенблит [30] получали в открытой системе. Температуры источника и подложки были равны соответственно 600 10 С и 365 - 405 С; скорость потока составляла 75 см3 / мин. Перед осаждением для удаления слоя окиси подложку подвергали в течение 15 мин газовому травлению в HI при 365 С. [22]

Эпитаксиальную пленку и подложку разделяет р-я-переход, так как они имеют различный тип электропроводности. Обычно этот переход используют в качестве изоляции между и подложкой. [23]

Однако эпитаксиальная пленка может создаваться и на другом материале. Планарный но известны также под названием эпитак-транзистор с двойной спальных меза-транзисторов с диффузяон-диффузией. [24]

Схема установки для эпитаксиального выращивания слоев германия и кремния. [25]

Однако эпитаксиальная пленка по основному составу может и отличаться от материала подложки. [26]

Разделение эпитаксиальной пленки на электрически изолированные островки осуществляется осаждением, через трафарет либо контактным маскированием с помощью фоторезиста и вытравливанием участков пленки между островками. В отличие от цикла диффузионной микропроекции операция травления не вносит термических искажений, деформации, дефектов. В обоих случаях сокращается число циклов диффузионной микропроекции и сохраняется совершенство структуры исходного материала. [27]

Недостаток эпитаксиальных пленок заключается в сравнительно высокой стоимости изготовления и обработки подложки. Необходимая для образования ЦМД одноосная анизотропия возникает в процессе технологии изготовления пленок и обусловлена механическими напряжениями, которые появляются из-за неполного соответствия постоянных решетки подложки и эпитаксиального слоя, а также вследствие влияния небольших примесей свинца или висмута, которые попадают в пленку из расплава. [28]

Применение эпитаксиальных пленок и создание двухслойного коллектора, состоящего из тела с малым и пленки с высоким удельным сопротивлением, ликвидируют три существенных недостатка диффузионных транзисторов - высокое сопротивление тела коллектора, его большую емкость, а также повышают пробивное напряжение. В связи с этим диффузионные транзисторы и диоды с эпитаксиаль-ными пленками являются наиболее совершенными приборами. [29]

Изготовление эпитаксиальных пленок, совершенно свободных от всяких дефектов и достаточно однородных по своим электрическим свойствам, как это видно из изложенного, - задача весьма сложная. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5