Эпитаксиальная пленка

Cтраница 4

Обычно нужны эпитаксиальные пленки с заданными типами примесей и их концентрацией. Это требует одновременного проведения по крайней мере двух реакций. Количества осаждаемых кремния и легирующего материала должны находиться в определенном соотношении, обеспечивающем требуемую концентрацию примесей. Такой процесс осуществляется путем введения в исходный поток смеси водорода с четыреххлористым кремнием добавочных компонентов - РСЬ или РН3, если требуется создать слой л-типа, либо ВВг3 или В2Нв, если требуется получить пленку с проводимостью р-типа. [46]

Были получены эпитаксиальные пленки металлфталоциани-нов. [47]

Способ получения эпитаксиальной пленки из жидкой фазы принципиально не отличается от описанного. Таким способом, например, пользуются при изготовлении туннельных диодов из арсенида галлия. Процесс происходит также в трубчатой печи. Материал источника подложки - арсенид галлия растворяется в расплавленном носителе - олове. [48]

Удельное сопротивление эпитаксиальной пленки зависит от концентрации лигатуры в рабочей смеси, скорости осаждения и температуры пластин. [49]

Для получения эпитаксиальных пленок из газовой фазы на монокристаллических подложках используется два типа реакций: восстановление водородом галогени-дов и термическое разложение иодидов кремния и германия. [50]

Влияние скорости роста и температурь. подложки на структуру пленки Ge на Ge ( HI, полученной методом дискретного ( взрывного напыления. [51]

При исследовании эпитаксиальных пленок серьезной проблемой является наличие примесей в вакуумной системе. [52]

Важным преимуществом эпитаксиальных пленок является простота контроля толщины при испарении, что затруднительно в случае изготовления тонких образцов из монокристаллов. В таких полупроводниках, как халькогениды свинца, обладающих высокой концентрацией носителей, очень трудно или совсем невозможно наблюдать поверхностные эффекты даже на кристаллах толщиной 10 мкм. [53]

Удельное сопротивление эпитаксиальной пленки зависит от концентрации лигатуры в рабочей смеси, скорости осаждения и температуры пластин. [54]

Дефекты структуры эпитаксиальных пленок обусловлены не только дефектностью подложек, но и напряжениями, вызывающими пластическую деформацию. Их релаксация при определенных условиях происходит вследствие образования и перераспределения дислокаций как в пленке, так и в подложке. [55]

Метод выращивания эпитаксиальных пленок с использованием жидкой фазы основан на том, что монокристаллическая полупроводниковая подложка покрывается тонким жидким слоем, чаще всего представляющим собой расплав какого-либо металла, растворяющего в себе полупроводник. При пропускании над такой подложкой газа, содержащего летучие соединения выращиваемого полупроводника, или при напылении на нее этого полупроводника в вакууме под слоем расплава может выращиваться эпитаксиальная пленка. В отличие от обыкновенной рекристаллизации после сплавления этот метод позволяет выращивать пленки с толщиной, во много раз превосходящей толщину рекристаллизован-ного слоя, который можно было бы получить при охлаждении данного расплава. [56]

Для получения эпитаксиальных пленок наращиваемый материал и материал подложки могут быть как различными, так и идентичными веществами. Например, эпитаксиальный слой кремния образуется при наращивании на монокристаллические подложки из сапфира или на монокристаллические пластины кремния; последнее называют автоэпитаксией. [57]

При выращивании эпитаксиальных пленок недостатком метода является то, что все посторонние примеси, присутствовавшие на поверхностях пластин, переходят в раствор и внедряются в растущий кристалл. Преимуществом метода считается то, что легко можно получить плоскопараллельную конфигурацию, которая при равномерной температуре нагрева обеспечивает рост пленки равномерной толщины. [58]

Совершенство структуры эпитаксиальной пленки существенно зависит от состояния поверхности кремниевой подложки. Непосредственно перед эпитаксиальным наращиванием целесообразно произвести обработку поверхности подложек водородом при t - 1200 С с целью восстановления следов окисла, а затем газовое травление на глубину 2 - 3 мкм в смеси хлористого водорода ( 1 - 2 %) в водороде для удаления следов нарушенной структуры. [59]

Установка для выращивания кремния хлоридным способом. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5