Эпитаксиальная пленка

Cтраница 3

Толщину эпитаксиальной пленки можно определить методом Дэша, который использует свойства дефектов упаковки в ней. [31]

Полная рентгонотопограмма отражения ( 220 слоя CdTe на слюде. Ув. хЮ. [32]

Для эпитаксиальных пленок, полученных в положении 3, участок топограммы, созданный характеристическим излучением, имеет минимальную ширину и дискретное распределение интенсивности, что указывает на минимальную разориентацию субзерен в этом случае. Взаимная разориентация суизорен по данным, полученным из топограмм, дает величину порядка десятков секунд, что близко к пределу ( - 10) углового разрешения рентгеновского метода. [33]

Толщину эпитаксиальной пленки можно определить методом Дэша, который использует свойства дефектов упаковки в ней. [34]

Для эпитаксиальных пленок CdS характерна очень высокая подвижность носителей. Электрические свойства пленок CdS, эпитаксиально осаждаемых на подложки из GaAs при осуществлении химической транспортной реакции в квазизамкнутом объеме [151], в значительной степени зависят от условий их выращивания, причем наиболее существенно - от температуры подложки. При повышении температуры подложки концентрация носителей возрастает по экспоненциальному закону. При этом также увеличивается подвижность электронов. [35]

К эпитаксиальным пленкам, используемым в технологии полупроводниковых микросхем и в оптоэлектро-нике, предъявляются высокие требования в области совершенства кристаллического строения. Эти требования являются следствием вредного влияния, которое различные дефекты могут оказывать на эксплуатационные свойства активных и ( пассивных элементов. Рассмотрим основные из них. [36]

МДП-прибор с п-кана-лом на сапфировой подложке. [37]

В эпитаксиальной пленке может быть сформирована обычная эпитаксиально-планарная структура ИС. Однако более целесообразно формирование областей с вертикальными p - n - переходами за счет сквозной диффузии через эпитаксиальный слой. Такую структуру ( рис. 1.53) используют для ИС на основе МДП-приборов. Площадь p - n - переходов, зависящая от толщины пленки и ширины областей, может быть сведена к минимуму контролироваться очень точно. Кроме того, пассивная подложка не может действовать как паразитный затвор. Данная технология дает возможность формировать дополняющие МДП-приборы на основе пленки одного типа электропроводности. [38]

МДП-прибор с п-кана-лом на сапфировой подложке. [39]

Под эпитаксиальной пленкой понимают кристаллическую пленку, структура которой близка к структуре подложки, а ориентация соответствует ориентации последней. Эпитаксиальная технология важна в современной микроэлектронике. [41]

В кремниевых эпитаксиальных пленках возможно создавать поперечные р-п переходы малой площади. [42]

Монокристаллы и эпитаксиальные пленки выращивают хим. осаждением из газовой фазы, методами хим. транспортных р-ций, монокристаллы-также направленной кристаллизацией из расплава. [43]

Так, эпитаксиальные пленки y - Fe на Си ( ИО) и Cu ( lll) являются ферромагнитными, а на Cu ( lOO) - антиферромагнитными. Чтобы показать зависимость магнетизма пленки от ее растяжения, Градман и Исберт [1074] эпитаксиально выращивали ГЦК-пленку y - Fe ( 111) толщиной в 2 - 3 атомных слоя на подложке из сплава Си Аиж ( 111) переменного состава, параметр решетки которого возрастает по правилу Вегарда с увеличением концентрации золота. [44]

Схема образования дефекта структуры при осаждении эпитаксиального слоя. / - эпитаксиальный слой. 2 - подложка. 3 - точечный дефект на поверхности полложки. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5